| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
AD8361ARMZ |
|
Детектор сигнала, fвх<2.7ГГц, динамический диапазон 60дБ, Uп=4.5..5.5В, -40..+85°C, ...
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
AD8361ARMZ |
|
Детектор сигнала, fвх<2.7ГГц, динамический диапазон 60дБ, Uп=4.5..5.5В, -40..+85°C, ...
|
ANALOG
|
|
|
|
|
|
AD8361ARMZ |
|
Детектор сигнала, fвх<2.7ГГц, динамический диапазон 60дБ, Uп=4.5..5.5В, -40..+85°C, ...
|
|
|
1 516.00
|
|
|
|
AD8361ARMZ |
|
Детектор сигнала, fвх<2.7ГГц, динамический диапазон 60дБ, Uп=4.5..5.5В, -40..+85°C, ...
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
|
|
AD8361ARMZ |
|
Детектор сигнала, fвх<2.7ГГц, динамический диапазон 60дБ, Uп=4.5..5.5В, -40..+85°C, ...
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
AD8361ARMZ |
|
Детектор сигнала, fвх<2.7ГГц, динамический диапазон 60дБ, Uп=4.5..5.5В, -40..+85°C, ...
|
AD1
|
|
|
|
|
|
AD8361ARMZ |
|
Детектор сигнала, fвх<2.7ГГц, динамический диапазон 60дБ, Uп=4.5..5.5В, -40..+85°C, ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
757
|
|
|
|
|
AD9850BRS |
|
Полный синтезатор частоты с выходом до 125 МГц, 10 бит, 3,3…5 В
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
AD9850BRS |
|
Полный синтезатор частоты с выходом до 125 МГц, 10 бит, 3,3…5 В
|
|
|
2 529.68
|
|
|
|
AD9850BRS |
|
Полный синтезатор частоты с выходом до 125 МГц, 10 бит, 3,3…5 В
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
|
|
AD9850BRS |
|
Полный синтезатор частоты с выходом до 125 МГц, 10 бит, 3,3…5 В
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
568
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
NXP
|
2 648
|
2.12
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
DC COMPONENTS
|
9 517
|
2.98
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
DIOTEC
|
96 760
|
1.54
>100 шт. 0.77
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
ES
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
PHILIPS
|
486
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
PHILIPS SEMIC
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
INFINEON TECH
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
ON SEMIC
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
HOTTECH
|
366 230
|
1.48
>100 шт. 0.74
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
|
42
|
3.70
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
KOME
|
1
|
1.46
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
SUNTAN
|
3 523
|
1.48
>100 шт. 0.74
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
NEX-NXP
|
112
|
3.10
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
YJ
|
110 620
|
1.45
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
TRR
|
52 800
|
1.17
>500 шт. 0.39
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
XXW
|
145 947
|
1.29
>500 шт. 0.43
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
CTK
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
KEEN SIDE
|
4 200
|
1.26
>500 шт. 0.42
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
MERRYELC
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
YANGJIE
|
1 732
|
1.20
>500 шт. 0.40
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
2375
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
935
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
DAYA
|
4 800
|
1.48
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
KEXIN
|
4 800
|
1.48
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
ZITEK
|
4 000
|
1.48
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
3000
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
RUME
|
79 200
|
1.17
>500 шт. 0.39
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
SLKOR
|
21 600
|
1.41
>500 шт. 0.47
|
|
|
|
|
BLT50.115 |
|
|
NXP
|
|
|
|
|
|
FT245RL |
|
Микросхема двунаправленный преобразователь USB-FIFO, реж.Bit Bang, EEPRM-1K, Ind
|
FTDI
|
69
|
593.60
|
|
|
|
FT245RL |
|
Микросхема двунаправленный преобразователь USB-FIFO, реж.Bit Bang, EEPRM-1K, Ind
|
|
1
|
592.00
|
|
|
|
FT245RL |
|
Микросхема двунаправленный преобразователь USB-FIFO, реж.Bit Bang, EEPRM-1K, Ind
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
FT245RL |
|
Микросхема двунаправленный преобразователь USB-FIFO, реж.Bit Bang, EEPRM-1K, Ind
|
FUTURE TECH DEVICES INTER LTD
|
|
|
|
|
|
FT245RL |
|
Микросхема двунаправленный преобразователь USB-FIFO, реж.Bit Bang, EEPRM-1K, Ind
|
FUTURE TECHNOLO
|
|
|
|
|
|
FT245RL |
|
Микросхема двунаправленный преобразователь USB-FIFO, реж.Bit Bang, EEPRM-1K, Ind
|
FUTURE TECHNOLOGY
|
|
|
|
|
|
FT245RL |
|
Микросхема двунаправленный преобразователь USB-FIFO, реж.Bit Bang, EEPRM-1K, Ind
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
560
|
|
|
|
|
FT245RL |
|
Микросхема двунаправленный преобразователь USB-FIFO, реж.Bit Bang, EEPRM-1K, Ind
|
97
|
|
|
|