IRFP4468PBF
N-канальный Полевой транзистор (Vds=200V, Id=195ARds On (Max) @ Id, Vgs 2.6 mOhm @ 180A, 10V, Vds 19860pF @ 50V,520W,540nC @ 10V
|
|
Версия для печати
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.6 mOhm @ 180A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 195A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 540nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 19860pF @ 50V |
| Power - Max | 520W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-247-3 (TO-247AC) |
| Корпус | TO-247AC |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRFP4468PbF (MOSFET) 100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-247AC
Производитель:
|
