| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
74LVC1G04GW.125 |
|
|
NEX-NXP
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
|
75 400
|
1.10
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
UTC
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
FAIRCHILD SEMICONDUCTORS
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
FAIRCHILD
|
2 248
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
DI
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
256
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
PANJIT
|
1
|
2.47
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
YJ
|
322 902
|
1.75
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
HOTTECH
|
197 692
|
1.48
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
SIKOR
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
JANGJIE
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
JSCJ
|
29 252
|
2.31
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
YOUTAI
|
43 957
|
1.73
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
SUNTAN
|
326
|
1.35
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
SHIKUES
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
EVVO
|
67 265
|
1.78
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
KEEN SIDE
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
9156
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
RUME
|
2 400
|
1.66
>100 шт. 0.83
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
TRR
|
7 200
|
1.86
>100 шт. 0.93
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
XXW
|
100 839
|
1.46
>100 шт. 0.73
|
|
|
|
|
M1106030C2001FP500 |
|
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
M1106030C2001FP500 |
|
|
VISHAY
|
3 477
|
|
|
|
|
|
SMF05CT1G |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
SMF05CT1G |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
SMF05CT1G |
|
|
|
8 588
|
10.12
|
|
|
|
|
SMF05CT1G |
|
|
ONS
|
5 440
|
11.37
|
|
|
|
|
SMF05CT1G |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
SMF05CT1G |
|
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
SMF05CT1G |
|
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
|
SMF05CT1G |
|
|
ONSEMI
|
|
|
|
|
|
|
SMF05CT1G |
|
|
TECH PUB
|
20 117
|
5.79
|
|
|
|
|
SMF05CT1G |
|
|
TECH PUBLIC
|
|
|
|
|
|
USBLC6-2SC6 |
|
монолитная сборка диодов для защиты от разрядов статического электричества двух линий ...
|
ST MICROELECTRONICS
|
2 569
|
15.50
|
|
|
|
USBLC6-2SC6 |
|
монолитная сборка диодов для защиты от разрядов статического электричества двух линий ...
|
|
4 696
|
9.97
|
|
|
|
USBLC6-2SC6 |
|
монолитная сборка диодов для защиты от разрядов статического электричества двух линий ...
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
USBLC6-2SC6 |
|
монолитная сборка диодов для защиты от разрядов статического электричества двух линий ...
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
USBLC6-2SC6 |
|
монолитная сборка диодов для защиты от разрядов статического электричества двух линий ...
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
USBLC6-2SC6 |
|
монолитная сборка диодов для защиты от разрядов статического электричества двух линий ...
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
USBLC6-2SC6 |
|
монолитная сборка диодов для защиты от разрядов статического электричества двух линий ...
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
USBLC6-2SC6 |
|
монолитная сборка диодов для защиты от разрядов статического электричества двух линий ...
|
YOUTAI
|
36 175
|
4.08
|
|
|
|
USBLC6-2SC6 |
|
монолитная сборка диодов для защиты от разрядов статического электричества двух линий ...
|
TECH PUB
|
36 091
|
4.21
|
|
|
|
USBLC6-2SC6 |
|
монолитная сборка диодов для защиты от разрядов статического электричества двух линий ...
|
UMW
|
|
|
|
|
|
USBLC6-2SC6 |
|
монолитная сборка диодов для защиты от разрядов статического электричества двух линий ...
|
UMW-YOUTAI
|
|
|
|
|
|
USBLC6-2SC6 |
|
монолитная сборка диодов для защиты от разрядов статического электричества двух линий ...
|
1
|
|
|
|
|
|
USBLC6-2SC6 |
|
монолитная сборка диодов для защиты от разрядов статического электричества двух линий ...
|
ELECSUPE
|
100 629
|
3.09
|
|
|
|
USBLC6-2SC6 |
|
монолитная сборка диодов для защиты от разрядов статического электричества двух линий ...
|
UWM
|
|
|
|
|
|
USBLC6-2SC6 |
|
монолитная сборка диодов для защиты от разрядов статического электричества двух линий ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
756
|
|
|