Версия для печати

Ref. Table (Диоды и выпрямители) SINGLE PHASE PLASTIC BRIDGE RECTIFIERS (INCLUDING GLASS PASSIVATED) Также в этом файле: DB103S Производитель: RFE International, Inc. //www.rfeinc.com DB103S datasheet 261.51Kb 1стр.

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BT137-600		Симистор (Vr=600V, It=8A, -40 to +125C)	NXP
		BT137-600		Симистор (Vr=600V, It=8A, -40 to +125C)	PHILIPS
		BT137-600		Симистор (Vr=600V, It=8A, -40 to +125C)			65.24
		BT137-600		Симистор (Vr=600V, It=8A, -40 to +125C)	PHILIPS
		BT137-600		Симистор (Vr=600V, It=8A, -40 to +125C)	NXP
		BT137-600		Симистор (Vr=600V, It=8A, -40 to +125C)	ФИЛИППИНЫ
		IRF730		Транзистор полевой N-канальный (Vds=400V, Id=5.5A, Rds=1.0R)	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRF730		Транзистор полевой N-канальный (Vds=400V, Id=5.5A, Rds=1.0R)	ST MICROELECTRONICS
		IRF730		Транзистор полевой N-канальный (Vds=400V, Id=5.5A, Rds=1.0R)	VISHAY
		IRF730		Транзистор полевой N-канальный (Vds=400V, Id=5.5A, Rds=1.0R)	SGS
		IRF730		Транзистор полевой N-канальный (Vds=400V, Id=5.5A, Rds=1.0R)	MOTOROLA
		IRF730		Транзистор полевой N-канальный (Vds=400V, Id=5.5A, Rds=1.0R)	SAMSUNG
		IRF730		Транзистор полевой N-канальный (Vds=400V, Id=5.5A, Rds=1.0R)		182	101.75
		IRF730		Транзистор полевой N-канальный (Vds=400V, Id=5.5A, Rds=1.0R)	MOTOROLA
		IRF730		Транзистор полевой N-канальный (Vds=400V, Id=5.5A, Rds=1.0R)	SAMSUNG
		IRF730		Транзистор полевой N-канальный (Vds=400V, Id=5.5A, Rds=1.0R)	SGS THOMSON
		IRF730		Транзистор полевой N-канальный (Vds=400V, Id=5.5A, Rds=1.0R)	ST MICROELECTRONICS SEMI
		IRF730		Транзистор полевой N-канальный (Vds=400V, Id=5.5A, Rds=1.0R)	Vishay/Siliconix
		IRF730		Транзистор полевой N-канальный (Vds=400V, Id=5.5A, Rds=1.0R)	STMicroelectronics
		IRF730		Транзистор полевой N-канальный (Vds=400V, Id=5.5A, Rds=1.0R)	КИТАЙ
		IRF730		Транзистор полевой N-канальный (Vds=400V, Id=5.5A, Rds=1.0R)	1
		PIC12F629-I/P		Микроконтроллер 8-ми разрядный, с Flash/EEPROM (1x14K Flash, 8 I/O, 64x8b RAM, 128x8b ...	MICRO CHIP	40	158.76
		PIC12F629-I/P		Микроконтроллер 8-ми разрядный, с Flash/EEPROM (1x14K Flash, 8 I/O, 64x8b RAM, 128x8b ...		712	129.55
		PIC12F629-I/P		Микроконтроллер 8-ми разрядный, с Flash/EEPROM (1x14K Flash, 8 I/O, 64x8b RAM, 128x8b ...	MICRO CHIP
		PIC12F629-I/P		Микроконтроллер 8-ми разрядный, с Flash/EEPROM (1x14K Flash, 8 I/O, 64x8b RAM, 128x8b ...	Microchip Technology
		PIC12F629-I/P		Микроконтроллер 8-ми разрядный, с Flash/EEPROM (1x14K Flash, 8 I/O, 64x8b RAM, 128x8b ...	ТАИЛАНД
		PIC12F629-I/P		Микроконтроллер 8-ми разрядный, с Flash/EEPROM (1x14K Flash, 8 I/O, 64x8b RAM, 128x8b ...	ATMEL
		PIC12F629-I/P		Микроконтроллер 8-ми разрядный, с Flash/EEPROM (1x14K Flash, 8 I/O, 64x8b RAM, 128x8b ...	1
		PIC12F629-I/P		Микроконтроллер 8-ми разрядный, с Flash/EEPROM (1x14K Flash, 8 I/O, 64x8b RAM, 128x8b ...	4-7 НЕДЕЛЬ	761
		YC164-JR-07100RL		Резисторная сборка из 4-х резисторов SMD (100Оhm, ±5% , 100 В, +/-200 ppm)	YAGEO	55 860	0.99  >500 шт.   0.33
		YC164-JR-07100RL		Резисторная сборка из 4-х резисторов SMD (100Оhm, ±5% , 100 В, +/-200 ppm)			1.60
		YC164-JR-07100RL		Резисторная сборка из 4-х резисторов SMD (100Оhm, ±5% , 100 В, +/-200 ppm)	YAGEO	7 272
		КТ3130А9		Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц			12.68
		КТ3130А9		Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц	ДАЛЕКС
		КТ3130А9		Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц	RUS
		КТ3130А9		Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц	ООО "НПК"ДАЛЕКС" Г. АЛЕКСАНДРОВ
		КТ3130А9		Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц	АЛЕКСАНДРОВ
		КТ3130А9		Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц	ИНТЕГРАЛ

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"