Версия для печати
Технические характеристики YC164-JR-07100RL

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	YC164
Circuit Type	Isolated
Сопротивление (Ом)	100
Number of Resistors	4
Number of Pins	8
Power Per Element	62.5mW
Допустимые отклонения емкости	±5%
Температурный коэфициент	±200ppm/°C
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	1206 (3216 Metric), Convex
Size / Dimension	0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm)
Высота	0.024" (0.60mm)
Рабочая температура	-55°C ~ 155°C
Корпус	4 x 0603
Tolerance	±5%

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Резисторы

 » 

Сборки

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BT137-600		Симистор (Vr=600V, It=8A, -40 to +125C)	NXP
		BT137-600		Симистор (Vr=600V, It=8A, -40 to +125C)	PHILIPS
		BT137-600		Симистор (Vr=600V, It=8A, -40 to +125C)			65.24
		BT137-600		Симистор (Vr=600V, It=8A, -40 to +125C)	PHILIPS
		BT137-600		Симистор (Vr=600V, It=8A, -40 to +125C)	NXP
		BT137-600		Симистор (Vr=600V, It=8A, -40 to +125C)	ФИЛИППИНЫ
		DB103S			DC COMPONENTS	532	21.08
		DB103S					30.16
		DB103S			MULTICOMP
		IRF730		Транзистор полевой N-канальный (Vds=400V, Id=5.5A, Rds=1.0R)	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRF730		Транзистор полевой N-канальный (Vds=400V, Id=5.5A, Rds=1.0R)	ST MICROELECTRONICS
		IRF730		Транзистор полевой N-канальный (Vds=400V, Id=5.5A, Rds=1.0R)	VISHAY
		IRF730		Транзистор полевой N-канальный (Vds=400V, Id=5.5A, Rds=1.0R)	SGS
		IRF730		Транзистор полевой N-канальный (Vds=400V, Id=5.5A, Rds=1.0R)	MOTOROLA
		IRF730		Транзистор полевой N-канальный (Vds=400V, Id=5.5A, Rds=1.0R)	SAMSUNG
		IRF730		Транзистор полевой N-канальный (Vds=400V, Id=5.5A, Rds=1.0R)		182	102.30
		IRF730		Транзистор полевой N-канальный (Vds=400V, Id=5.5A, Rds=1.0R)	MOTOROLA
		IRF730		Транзистор полевой N-канальный (Vds=400V, Id=5.5A, Rds=1.0R)	SAMSUNG
		IRF730		Транзистор полевой N-канальный (Vds=400V, Id=5.5A, Rds=1.0R)	SGS THOMSON
		IRF730		Транзистор полевой N-канальный (Vds=400V, Id=5.5A, Rds=1.0R)	ST MICROELECTRONICS SEMI
		IRF730		Транзистор полевой N-канальный (Vds=400V, Id=5.5A, Rds=1.0R)	Vishay/Siliconix
		IRF730		Транзистор полевой N-канальный (Vds=400V, Id=5.5A, Rds=1.0R)	STMicroelectronics
		IRF730		Транзистор полевой N-канальный (Vds=400V, Id=5.5A, Rds=1.0R)	КИТАЙ
		IRF730		Транзистор полевой N-канальный (Vds=400V, Id=5.5A, Rds=1.0R)	1
		PIC12F629-I/P		Микроконтроллер 8-ми разрядный, с Flash/EEPROM (1x14K Flash, 8 I/O, 64x8b RAM, 128x8b ...	MICRO CHIP	40	175.68
		PIC12F629-I/P		Микроконтроллер 8-ми разрядный, с Flash/EEPROM (1x14K Flash, 8 I/O, 64x8b RAM, 128x8b ...		536	131.71
		PIC12F629-I/P		Микроконтроллер 8-ми разрядный, с Flash/EEPROM (1x14K Flash, 8 I/O, 64x8b RAM, 128x8b ...	MICRO CHIP
		PIC12F629-I/P		Микроконтроллер 8-ми разрядный, с Flash/EEPROM (1x14K Flash, 8 I/O, 64x8b RAM, 128x8b ...	Microchip Technology
		PIC12F629-I/P		Микроконтроллер 8-ми разрядный, с Flash/EEPROM (1x14K Flash, 8 I/O, 64x8b RAM, 128x8b ...	ТАИЛАНД
		PIC12F629-I/P		Микроконтроллер 8-ми разрядный, с Flash/EEPROM (1x14K Flash, 8 I/O, 64x8b RAM, 128x8b ...	ATMEL
		PIC12F629-I/P		Микроконтроллер 8-ми разрядный, с Flash/EEPROM (1x14K Flash, 8 I/O, 64x8b RAM, 128x8b ...	1
		PIC12F629-I/P		Микроконтроллер 8-ми разрядный, с Flash/EEPROM (1x14K Flash, 8 I/O, 64x8b RAM, 128x8b ...	4-7 НЕДЕЛЬ	761
		КТ3130А9		Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц			12.68
		КТ3130А9		Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц	ДАЛЕКС
		КТ3130А9		Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц	RUS
		КТ3130А9		Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц	ООО "НПК"ДАЛЕКС" Г. АЛЕКСАНДРОВ
		КТ3130А9		Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц	АЛЕКСАНДРОВ
		КТ3130А9		Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц	ИНТЕГРАЛ

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"