1N4007 (1A,1000В) DO-41 ДИОД YANGJIE
|
Версия для печати
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
AT24C04N-10SI-2.7 |
|
Последовательная память EEPROM (512x8 bit, 1M циклов, 2-wire serial interface, 400 ... | ATMEL | 239 | 25.44 | ||
|
|
AT24C04N-10SI-2.7 |
|
Последовательная память EEPROM (512x8 bit, 1M циклов, 2-wire serial interface, 400 ... |
|
29.52 | |||
|
|
AT24C04N-10SI-2.7 |
|
Последовательная память EEPROM (512x8 bit, 1M циклов, 2-wire serial interface, 400 ... | ATMEL CORPORATION | 2 256 |
|
||
|
|
AT24C04N-10SI-2.7 |
|
Последовательная память EEPROM (512x8 bit, 1M циклов, 2-wire serial interface, 400 ... | 4-7 НЕДЕЛЬ | 604 |
|
||
|
|
AT24C04N-10SI-2.7 |
|
Последовательная память EEPROM (512x8 bit, 1M циклов, 2-wire serial interface, 400 ... | 11 |
|
|
||
|
|
AT24C04N-10SI-2.7 |
|
Последовательная память EEPROM (512x8 bit, 1M циклов, 2-wire serial interface, 400 ... | 288 |
|
|
||
| AXIAL,5 A, 5X20 (GLASS), FAST-ACTING FUSE,LEAD KLS5-1020 |
|
|
||||||
| IPD053N08N3 G | INFINEON |
|
|
|||||
| IPD053N08N3 G | Infineon Technologies |
|
|
|||||
|
|
VND5N07-E |
|
STMicroelectronics |
|
|
|||
|
|
VND5N07-E |
|
ST MICROELECTRONICS |
|
|
|||
|
|
VND5N07-E |
|
|
|
||||
| ПРЕДОХРАНИТЕЛЬ 5Х20 1.6А СТ | FUSES | 16 | 3.39 |
