IPD053N08N3 G
|
Версия для печати
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.3 mOhm @ 90A, 10V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | OptiMOS™ |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 90A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 90µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 69nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 4750pF @ 40V |
| Power - Max | 150W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Корпус | PG-TO252-3 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 179020.0,63; 0.63 А, 250 В, 5Х20 ММ, F | SIBA |
|
|
|||||
 |
 |
G2R1E24DC |
|
Герметичное реле универсальное пост. тока, контакты 1С сплав серебра, для монтажа в ... | OMRON |
|
|
|
|
|
|
G2R1E24DC |
|
Герметичное реле универсальное пост. тока, контакты 1С сплав серебра, для монтажа в ... |
|
|
||
| IPB083N10N3GATMA1 | INFINEON |
|
|
|||||
| IPB083N10N3GATMA1 |
|
|
||||||
| STM8S207R8T6 | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|||||
| STM8S207R8T6 | STMicroelectronics |
|
|
|||||
| STM8S207R8T6 |
|
|
||||||
| STM8S207R8T6 | 4-7 НЕДЕЛЬ | 478 |
|
|||||
| TPS54160DGQR | TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
|||||
| TPS54160DGQR | TEXAS INSTRUMENTS | 4 245 |
|
|||||
| TPS54160DGQR | TEXAS |
|
|
