| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
470МКФ400В(30X50)105°C |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
470МКФ400В(30X50)105°C |
|
|
JAMICON
|
|
|
|
 |
 |
FGH40N60SFDTU |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop
|
|
730
|
259.07
|
|
|
|
|
FGH40N60SFDTU |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
FGH40N60SFDTU |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
FGH40N60SFDTU |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
FGH40N60SFDTU |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop
|
FSC
|
|
|
|
|
|
|
FGH40N60SFDTU |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop
|
FAIRCHILD
|
504
|
363.95
|
|
|
|
|
FGH40N60SFDTU |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
|
FGH40N60SFDTU |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop
|
ONS
|
866
|
367.79
|
|
|
|
|
FGH40N60SFDTU |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
FGH40N60SFDTU |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
FQP4N90C |
|
N-канальный тарнзистор MOSFET, 900В, 4А, 140Вт
|
FSC
|
|
|
|
|
|
|
FQP4N90C |
|
N-канальный тарнзистор MOSFET, 900В, 4А, 140Вт
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
FQP4N90C |
|
N-канальный тарнзистор MOSFET, 900В, 4А, 140Вт
|
|
|
139.20
|
|
|
|
|
FQP4N90C |
|
N-канальный тарнзистор MOSFET, 900В, 4А, 140Вт
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
FQP4N90C |
|
N-канальный тарнзистор MOSFET, 900В, 4А, 140Вт
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
FQP4N90C |
|
N-канальный тарнзистор MOSFET, 900В, 4А, 140Вт
|
ONS
|
655
|
150.50
|
|
|
|
|
FQP4N90C |
|
N-канальный тарнзистор MOSFET, 900В, 4А, 140Вт
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
|
SQP-15W22RJ(15ВТ,22ОМ,5%) |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
SQP-15W22RJ(15ВТ,22ОМ,5%) |
|
|
LIKET
|
|
|
|
|
|
|
UC3842BN |
|
ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8
|
ST MICROELECTRONICS
|
4 484
|
40.51
|
|
|
|
|
UC3842BN |
|
ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8
|
UTC
|
|
|
|
|
|
|
UC3842BN |
|
ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8
|
|
|
58.92
|
|
|
|
|
UC3842BN |
|
ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
UC3842BN |
|
ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8
|
ON Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
UC3842BN |
|
ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
UC3842BN |
|
ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
|
UC3842BN |
|
ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8
|
1
|
|
|
|
|
|
|
UC3842BN |
|
ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
60
|
|
|
Версия для печати
