| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BZX55C10 |
|
Стабилитрон универсальный 40мA, 10В
|
|
22 918
|
1.39
|
|
|
|
BZX55C10 |
|
Стабилитрон универсальный 40мA, 10В
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BZX55C10 |
|
Стабилитрон универсальный 40мA, 10В
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BZX55C10 |
|
Стабилитрон универсальный 40мA, 10В
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BZX55C10 |
|
Стабилитрон универсальный 40мA, 10В
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BZX55C10 |
|
Стабилитрон универсальный 40мA, 10В
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BZX55C10 |
|
Стабилитрон универсальный 40мA, 10В
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BZX55C10 |
|
Стабилитрон универсальный 40мA, 10В
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BZX55C10 |
|
Стабилитрон универсальный 40мA, 10В
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
BZX55C10 |
|
Стабилитрон универсальный 40мA, 10В
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BZX55C10 |
|
Стабилитрон универсальный 40мA, 10В
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BZX55C10 |
|
Стабилитрон универсальный 40мA, 10В
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BZX55C10 |
|
Стабилитрон универсальный 40мA, 10В
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
BZX55C10 |
|
Стабилитрон универсальный 40мA, 10В
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
BZX55C10 |
|
Стабилитрон универсальный 40мA, 10В
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BZX55C10 |
|
Стабилитрон универсальный 40мA, 10В
|
TEMIC
|
6 266
|
1.70
>100 шт. 0.85
|
|
|
|
BZX55C10 |
|
Стабилитрон универсальный 40мA, 10В
|
DC COMPONENTS
|
26 294
|
1.70
>100 шт. 0.85
|
|
|
|
BZX55C10 |
|
Стабилитрон универсальный 40мA, 10В
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BZX55C10 |
|
Стабилитрон универсальный 40мA, 10В
|
KINGTRONICS
|
79
|
2.07
|
|
|
|
BZX55C10 |
|
Стабилитрон универсальный 40мA, 10В
|
HOTTECH
|
800
|
1.18
>100 шт. 0.59
|
|
|
|
BZX55C10 |
|
Стабилитрон универсальный 40мA, 10В
|
ST MICROELECTRONICS
|
154
|
1.52
>100 шт. 0.76
|
|
|
|
BZX55C10 |
|
Стабилитрон универсальный 40мA, 10В
|
RUME
|
23 200
|
1.16
>100 шт. 0.58
|
|
|
|
BZX55C10 |
|
Стабилитрон универсальный 40мA, 10В
|
ASEMI
|
3 324
|
1.64
>100 шт. 0.82
|
|
|
|
BZX55C18 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=18V, Izt-5mA
|
|
444
|
10.08
|
|
|
|
BZX55C18 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=18V, Izt-5mA
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BZX55C18 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=18V, Izt-5mA
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BZX55C18 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=18V, Izt-5mA
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BZX55C18 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=18V, Izt-5mA
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BZX55C18 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=18V, Izt-5mA
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BZX55C18 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=18V, Izt-5mA
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BZX55C18 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=18V, Izt-5mA
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
BZX55C18 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=18V, Izt-5mA
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BZX55C18 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=18V, Izt-5mA
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BZX55C18 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=18V, Izt-5mA
|
EIC
|
|
|
|
|
|
BZX55C18 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=18V, Izt-5mA
|
YJ
|
|
|
|
|
|
BZX55C18 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=18V, Izt-5mA
|
SMTC
|
|
|
|
|
|
BZX55C18 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=18V, Izt-5mA
|
1
|
|
|
|
|
|
BZX55C18 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=18V, Izt-5mA
|
ASEMI
|
2 318
|
1.64
>100 шт. 0.82
|
|
|
|
BZX55C18 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=18V, Izt-5mA
|
XXW
|
|
|
|
|
|
FGH40N60SFDTU |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop
|
|
316
|
263.38
|
|
|
|
FGH40N60SFDTU |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
FGH40N60SFDTU |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
FGH40N60SFDTU |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
FGH40N60SFDTU |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop
|
FSC
|
|
|
|
|
|
FGH40N60SFDTU |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop
|
FAIRCHILD
|
480
|
362.28
|
|
|
|
FGH40N60SFDTU |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
FGH40N60SFDTU |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop
|
ONS
|
2
|
378.47
|
|
|
|
FGH40N60SFDTU |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
FGH40N60SFDTU |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
SQP-15W22RJ(15ВТ,22ОМ,5%) |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
SQP-15W22RJ(15ВТ,22ОМ,5%) |
|
|
LIKET
|
|
|
|
|
|
UC3842BN |
|
ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8
|
ST MICROELECTRONICS
|
120
|
53.88
|
|
|
|
UC3842BN |
|
ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8
|
UTC
|
|
|
|
|
|
UC3842BN |
|
ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8
|
|
12
|
55.50
|
|
|
|
UC3842BN |
|
ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
UC3842BN |
|
ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8
|
ON Semiconductor
|
|
|
|
|
|
UC3842BN |
|
ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
UC3842BN |
|
ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
UC3842BN |
|
ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8
|
1
|
|
|
|
|
|
UC3842BN |
|
ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
60
|
|
|