| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
3006P-1-501 |
|
Потенциометр - резистор подстроечный многооборотный
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
|
3006P-1-501 |
|
Потенциометр - резистор подстроечный многооборотный
|
BOURNS
|
|
|
|
|
|
|
3006P-1-501 |
|
Потенциометр - резистор подстроечный многооборотный
|
BARONS
|
|
|
|
|
|
|
3006P-1-501 |
|
Потенциометр - резистор подстроечный многооборотный
|
|
11
|
32.00
|
|
|
|
|
3006P-1-501 |
|
Потенциометр - резистор подстроечный многооборотный
|
Bourns Inc
|
|
|
|
|
|
|
3006P-1-501 |
|
Потенциометр - резистор подстроечный многооборотный
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
RL206 |
|
Диод 2А, 800В
|
DC COMPONENTS
|
400
|
9.07
|
|
|
|
RL206 |
|
Диод 2А, 800В
|
|
|
5.28
|
|
|
|
RL206 |
|
Диод 2А, 800В
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
RL206 |
|
Диод 2А, 800В
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
RL206 |
|
Диод 2А, 800В
|
YJ
|
15
|
8.71
|
|
|
|
SM4004 |
|
Выпрямительный диод smd (Vr=400V, I=1A@T=100C, Ifsm=30A, Vf=0.49V@I=1A, -55 to +150C)
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
SM4004 |
|
Выпрямительный диод smd (Vr=400V, I=1A@T=100C, Ifsm=30A, Vf=0.49V@I=1A, -55 to +150C)
|
DC COMPONENTS
|
180 866
|
3.00
|
|
|
|
SM4004 |
|
Выпрямительный диод smd (Vr=400V, I=1A@T=100C, Ifsm=30A, Vf=0.49V@I=1A, -55 to +150C)
|
TORIDAL
|
|
|
|
|
|
SM4004 |
|
Выпрямительный диод smd (Vr=400V, I=1A@T=100C, Ifsm=30A, Vf=0.49V@I=1A, -55 to +150C)
|
|
|
2.96
|
|
|
|
SM4004 |
|
Выпрямительный диод smd (Vr=400V, I=1A@T=100C, Ifsm=30A, Vf=0.49V@I=1A, -55 to +150C)
|
SMK
|
|
|
|
|
|
SM4004 |
|
Выпрямительный диод smd (Vr=400V, I=1A@T=100C, Ifsm=30A, Vf=0.49V@I=1A, -55 to +150C)
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
SM4004 |
|
Выпрямительный диод smd (Vr=400V, I=1A@T=100C, Ifsm=30A, Vf=0.49V@I=1A, -55 to +150C)
|
TORIDAL
|
|
|
|
|
|
SM4004 |
|
Выпрямительный диод smd (Vr=400V, I=1A@T=100C, Ifsm=30A, Vf=0.49V@I=1A, -55 to +150C)
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
SM4004 |
|
Выпрямительный диод smd (Vr=400V, I=1A@T=100C, Ifsm=30A, Vf=0.49V@I=1A, -55 to +150C)
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
SM4004 |
|
Выпрямительный диод smd (Vr=400V, I=1A@T=100C, Ifsm=30A, Vf=0.49V@I=1A, -55 to +150C)
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
SM4004 |
|
Выпрямительный диод smd (Vr=400V, I=1A@T=100C, Ifsm=30A, Vf=0.49V@I=1A, -55 to +150C)
|
DIOTEC
|
2
|
3.41
|
|
|
|
SM4004 |
|
Выпрямительный диод smd (Vr=400V, I=1A@T=100C, Ifsm=30A, Vf=0.49V@I=1A, -55 to +150C)
|
MASTER INSTRUMENT CO
|
|
|
|
|
|
SM4004 |
|
Выпрямительный диод smd (Vr=400V, I=1A@T=100C, Ifsm=30A, Vf=0.49V@I=1A, -55 to +150C)
|
MIC
|
4 009
|
2.38
|
|
|
|
SM4004 |
|
Выпрямительный диод smd (Vr=400V, I=1A@T=100C, Ifsm=30A, Vf=0.49V@I=1A, -55 to +150C)
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
SM4004 |
|
Выпрямительный диод smd (Vr=400V, I=1A@T=100C, Ifsm=30A, Vf=0.49V@I=1A, -55 to +150C)
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR AG
|
8 888
|
|
|
|
|
SM4004 |
|
Выпрямительный диод smd (Vr=400V, I=1A@T=100C, Ifsm=30A, Vf=0.49V@I=1A, -55 to +150C)
|
0.00
|
|
|
|
|
|
SM4004 |
|
Выпрямительный диод smd (Vr=400V, I=1A@T=100C, Ifsm=30A, Vf=0.49V@I=1A, -55 to +150C)
|
ТАЙВАНЬ
|
104
|
9.30
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
|
1 147
|
16.65
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
КРЕМНИЙ
|
80
|
60.48
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
БРЯНСК
|
154
|
36.12
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
ФРЯЗИНО
|
521
|
16.80
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
ЭЛЕКТРОНПРИБОР
|
400
|
49.14
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
КРЕМН
|
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
ЭДЬТАВ
|
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
ЭЛЬТАВ
|
300
|
16.80
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
УЛЬЯНОВСК
|
120
|
16.80
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
КРЕМНИЙ ЭЛ
|
109
|
18.76
|
|
|
|
|
ПРОКЛАДКА (СЛЮДА) 4040 ММ |
|
|
|
|
|
|