Версия для печати
Технические характеристики 1N4760A

Current - Reverse Leakage @ Vr	5µA @ 51.7V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1.2V @ 200mA
Voltage - Zener (Nom) (Vz)	68V
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free by exemption / RoHS Compliant
Допустимые отклонения емкости	±5%
Power - Max	1W
Impedance (Max) (Zzt)	150 Ohm
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	DO-204AL, DO-41, Axial
Корпус	DO-41
Рабочая температура	-65°C ~ 175°C

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Стабилитроны

 » 

Стабилитроны - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	FAI/QTC
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	FAIR
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR	800	12.49
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	MOTOROLA
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	NXP
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	PHILIPS
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	TOSHIBA
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	DC COMPONENTS	17 475	3.55
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	FSC
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	UTC
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	DIOTEC	2 294	4.17
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	МИНСК
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	FAIRCHILD
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	MOTOROLA
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	OTHER
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	NS
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	KEC
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)		17 368	1.07
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	TOSHIBA
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	---
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	NO TRADEMARK
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	MULTICOMP
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	HOTTECH	215	1.38  >100 шт.   0.69
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	KLS
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	КИТАЙ
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	CHINA	9 576	1.22
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	ZH
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	ASEMI	3 395	1.07
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	KEEN SIDE
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	MERRYELC	2 056	1.28
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	RUME	480	1.58  >100 шт.   0.79
		BZX84-C9V1			PHILIPS
		BZX84-C9V1			NXP
		BZX84-C9V1			NXP	16 440
		BZX84-C9V1			PHILIPS
		BZX84-C9V1			MCC
		BZX84-C9V1			NXP SEMIC
		BZX84-C9V1			NEX-NXP
		BZX84-C9V1			KEEN SIDE	2 972	1.60  >100 шт.   0.80
		BZX84-C5V1		Стабилитрон универсальный SMD 0.225 Вт, 5.1 V	NXP
		BZX84-C5V1		Стабилитрон универсальный SMD 0.225 Вт, 5.1 V	PHILIPS
		BZX84-C5V1		Стабилитрон универсальный SMD 0.225 Вт, 5.1 V	NXP	6 846
		BZX84-C5V1		Стабилитрон универсальный SMD 0.225 Вт, 5.1 V	PHILIPS	30 963
		BZX84-C5V1		Стабилитрон универсальный SMD 0.225 Вт, 5.1 V	KEEN SIDE
		LM2576HVS-ADJ			NATIONAL SEMICONDUCTOR
		LM2576HVS-ADJ					608.00
		LM2576HVS-ADJ			NSC
		LM2576HVS-ADJ			NATIONAL SEMICONDUCTOR
		LM2576HVS-ADJ			TEXAS INSTRUMENTS
		LM2576HVS-ADJ			TEXAS
		LM2576HVS-ADJ			YOUTAI	352	101.57
		LM2576HVS-ADJ			UMW	36	123.98
		LM2576HVS-ADJ			UMW-YOUTAI
		LM2576HVS-ADJ			4-7 НЕДЕЛЬ	231
		MJE13009		Транзистор биполярный большой мощности NPN 400V, 12A, 100W, 4MHz	ON SEMICONDUCTOR
		MJE13009		Транзистор биполярный большой мощности NPN 400V, 12A, 100W, 4MHz	ST MICROELECTRONICS
		MJE13009		Транзистор биполярный большой мощности NPN 400V, 12A, 100W, 4MHz	ONS
		MJE13009		Транзистор биполярный большой мощности NPN 400V, 12A, 100W, 4MHz		8	138.75
		MJE13009		Транзистор биполярный большой мощности NPN 400V, 12A, 100W, 4MHz	ФИЛИППИНЫ
		MJE13009		Транзистор биполярный большой мощности NPN 400V, 12A, 100W, 4MHz	ISC	2 336	59.32
		MJE13009		Транзистор биполярный большой мощности NPN 400V, 12A, 100W, 4MHz	VARIOUS

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"