|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 9.1V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 900mV @ 10mA |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 500nA @ 6V |
| Допустимые отклонения емкости | ±5% |
| Power - Max | 250mW |
| Impedance (Max) (Zzt) | 15 Ohm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | SOT-23-3 |
| Рабочая температура | -65°C ~ 150°C |
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
2SC2235 |
|
Биполярный транзистор Si-N (120/120V, 0,8A, 0,9W, 120MHz) | TOSHIBA |
|
|
|
|
|
|
2SC2235 |
|
Биполярный транзистор Si-N (120/120V, 0,8A, 0,9W, 120MHz) | TOS |
|
|
|
|
|
|
2SC2235 |
|
Биполярный транзистор Si-N (120/120V, 0,8A, 0,9W, 120MHz) | 7 | 48.10 | ||
|
|
|
2SC2235 |
|
Биполярный транзистор Si-N (120/120V, 0,8A, 0,9W, 120MHz) | КИТАЙ |
|
|
|
|
|
|
2SC2235 |
|
Биполярный транзистор Si-N (120/120V, 0,8A, 0,9W, 120MHz) | CJ |
|
|
|
|
|
|
2SC2235 |
|
Биполярный транзистор Si-N (120/120V, 0,8A, 0,9W, 120MHz) | JSCJ |
|
|
|
|
|
|
IRFB23N15D |
|
Hexfet power mosfets discrete n-channel | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
IRFB23N15D |
|
Hexfet power mosfets discrete n-channel |
|
180.00 | ||
|
|
|
IRFB23N15D |
|
Hexfet power mosfets discrete n-channel | INFINEON |
|
|
|
| MF-2 91K 5% |
|
|
||||||
| MF-2 120K 5% |
|
|
||||||
| RC0805FR-071M8L | YAGEO | 165 117 |
0.85 >1000 шт. 0.17 |
|||||
| RC0805FR-071M8L | YAGEO |
|
|
|||||
| RC0805FR-071M8L |
|
|