Z80 SIO (Z0844206PSC)
|
|
Версия для печати
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 74HCT138D.653 |
|
Quad 2Inp NAND Gate | NXP |
|
|
|||
| 74HCT138D.653 |
|
Quad 2Inp NAND Gate | NEX-NXP |
|
|
|||
| 74HCT138D.653 |
|
Quad 2Inp NAND Gate |
|
|
||||
 |
CD74HCT04E | TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
||||
|
|
CD74HCT04E |
|
2 624.72 | |||||
|
|
CD74HCT04E | TEXAS INSTRUMENTS | 256 |
|
||||
|
|
CD74HCT04E | TEXAS |
|
|
||||
|
|
CD74HCT04E | 4-7 НЕДЕЛЬ | 146 |
|
||||
| CD74HCT10M | HARRIS | 148 | 8.23 | |||||
| CD74HCT10M | HARRIS |
|
|
|||||
| CD74HCT10M | Texas Instruments | 10 | 108.98 | |||||
| CD74HCT10M | TEXAS |
|
|
|||||
| CD74HCT10M |
|
|
||||||
 |
КП327Б | 104 | 64.06 | |||||
|
|
КП327Б | ВИННИЦА |
|
|
||||
|
|
КП327Б | RUS |
|
|
||||
 |
КТ399АМ |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный с ... |
|
38.20 | |||
|
|
КТ399АМ |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный с ... | СВЕТЛАНА | 266 | 37.80 | ||
|
|
КТ399АМ |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный с ... | RUS |
|
|
