HMO0603B-65

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
HMO0603B-65 (JLW)	1 485	43.16

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
BAS70-04,215		NXP Semiconductors
BAS70-04,215		NXP
BAS70-04,215		NEX
BAS70-04,215
BAS70-04,215		NEX-NXP
BAS70-04,215		NXP/NEXPERIA	481	2.67
BAS70-04,215		NEXPERIA
BFR93A	Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт	NXP
BFR93A	Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт	PHILIPS
BFR93A	Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт	VISHAY
BFR93A	Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт			13.60
BFR93A	Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт	PHILIPS
BFR93A	Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт	КИТАЙ
BFR93A	Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт	NXP
BFR93A	Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт	INFINEON
BFR93A	Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт	INFINEON	54
LQW2BHN39NJ03L		MUR
LQW2BHN39NJ03L		MURATA	280	16.76
LQW2BHN39NJ03L
LQW2BHN47NJ03	Индуктивность ЧИП 47 нГн, 5% (0805)	CHINA
LQW2BHN47NJ03	Индуктивность ЧИП 47 нГн, 5% (0805)	MURATA
LQW2BHN47NJ03	Индуктивность ЧИП 47 нГн, 5% (0805)			38.80
LQW2BHN47NJ03	Индуктивность ЧИП 47 нГн, 5% (0805)	КИТАЙ
LQW2BHN47NJ03L		MURATA
LQW2BHN47NJ03L		MURATA
LQW2BHN47NJ03L		MUR	8	22.13
LQW2BHN47NJ03L
LQW2BHN47NJ03L