К52-1 25В 47МКФ 20%

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
IRFP450	Транзистор полевой N-MOS 500V, 14A, 190W	INTERNATIONAL RECTIFIER	4	238.14
IRFP450	Транзистор полевой N-MOS 500V, 14A, 190W	VISHAY
IRFP450	Транзистор полевой N-MOS 500V, 14A, 190W		312	88.20
IRFP450	Транзистор полевой N-MOS 500V, 14A, 190W	IXYS
IRFP450	Транзистор полевой N-MOS 500V, 14A, 190W	Vishay/Siliconix
IRFP450	Транзистор полевой N-MOS 500V, 14A, 190W	STMicroelectronics
IRFP450	Транзистор полевой N-MOS 500V, 14A, 190W	КИТАЙ
IRFP450	Транзистор полевой N-MOS 500V, 14A, 190W	INTRESIL
IRFP450	Транзистор полевой N-MOS 500V, 14A, 190W	INTERSIL
IRFP450	Транзистор полевой N-MOS 500V, 14A, 190W	IR/VISHAY	12	217.80
IRFP450	Транзистор полевой N-MOS 500V, 14A, 190W	1
IRG4PC50UD	Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=55A@t=25C, Ic=27A@t=100C, ...	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRG4PC50UD	Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=55A@t=25C, Ic=27A@t=100C, ...			904.00
IRG4PC50UD	Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=55A@t=25C, Ic=27A@t=100C, ...	ФИЛИППИНЫ
IRG4PC50UD	Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=55A@t=25C, Ic=27A@t=100C, ...	INFINEON
IRG4PC50UD	Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=55A@t=25C, Ic=27A@t=100C, ...	IR/VISHAY	21	1 089.00
MD2202-D128-X		SanDisk
НКИ 1.5-4			6 000	2.96
НКИ 1.5-4		КВТ
НКИ 1.5-4		KVT
РПИ-М 1.5-(4.8)			208	2.58
РПИ-М 1.5-(4.8)		КВТ