Версия для печати
Технические характеристики BZX55C16

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Voltage - Zener (Nom) (Vz)	16V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1.3V @ 100mA
Current - Reverse Leakage @ Vr	100nA @ 12V
Допустимые отклонения емкости	±5%
Power - Max	500mW
Impedance (Max) (Zzt)	40 Ohm
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	DO-204AH, DO-35, Axial
Корпус	DO-35
Рабочая температура	-65°C ~ 200°C
Product Change Notification	Die Shrink Change 02/Nov/2007
Tolerance	±5%

BZX55C16 (Стабилитроны) 500 mW DO-35 Hermetically Sealed Glass Zener Voltage Производитель: Synsemi Semiconductor //www.synsemi.com BZX55C16 datasheet 294.43Kb 6стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Стабилитроны

 » 

Стабилитроны - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BZX55C12		Cтабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)		24 923	1.36
		BZX55C12		Cтабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)	FAIR
		BZX55C12		Cтабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)	PHILIPS
		BZX55C12		Cтабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)	VISHAY
		BZX55C12		Cтабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)	ON SEMICONDUCTOR
		BZX55C12		Cтабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)	FAIRCHILD
		BZX55C12		Cтабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)	GALAXY	27	5.82
		BZX55C12		Cтабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)	FAIRCHILD
		BZX55C12		Cтабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)	OTHER
		BZX55C12		Cтабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)	PHILIPS
		BZX55C12		Cтабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)	Fairchild Semiconductor
		BZX55C12		Cтабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		BZX55C12		Cтабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)	КИТАЙ
		BZX55C12		Cтабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)	GALAXY ME
		BZX55C12		Cтабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)	PANJIT	2 118	2.09
		BZX55C12		Cтабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)	HOTTECH	7 437	1.74
		BZX55C12		Cтабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)	KLS	29 200	1.74  >100 шт.   0.87
		BZX55C12		Cтабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)	1
		BZX55C6V2		Cтабилитрон универсальный (Vz=5.86.6V (6.2V nom)@Iz=5 mA, tol=6%)		24 622	1.36
		BZX55C6V2		Cтабилитрон универсальный (Vz=5.86.6V (6.2V nom)@Iz=5 mA, tol=6%)	DC COMPONENTS	24 116	1.05
		BZX55C6V2		Cтабилитрон универсальный (Vz=5.86.6V (6.2V nom)@Iz=5 mA, tol=6%)	FAIR
		BZX55C6V2		Cтабилитрон универсальный (Vz=5.86.6V (6.2V nom)@Iz=5 mA, tol=6%)	FAIRCHILD
		BZX55C6V2		Cтабилитрон универсальный (Vz=5.86.6V (6.2V nom)@Iz=5 mA, tol=6%)	FAIRCHILD
		BZX55C6V2		Cтабилитрон универсальный (Vz=5.86.6V (6.2V nom)@Iz=5 mA, tol=6%)	OTHER
		BZX55C6V2		Cтабилитрон универсальный (Vz=5.86.6V (6.2V nom)@Iz=5 mA, tol=6%)	GALAXY
		BZX55C6V2		Cтабилитрон универсальный (Vz=5.86.6V (6.2V nom)@Iz=5 mA, tol=6%)	Fairchild Semiconductor
		BZX55C6V2		Cтабилитрон универсальный (Vz=5.86.6V (6.2V nom)@Iz=5 mA, tol=6%)	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		BZX55C6V2		Cтабилитрон универсальный (Vz=5.86.6V (6.2V nom)@Iz=5 mA, tol=6%)	МАЛАЙЗИЯ
		BZX55C6V2		Cтабилитрон универсальный (Vz=5.86.6V (6.2V nom)@Iz=5 mA, tol=6%)	VISHAY
		BZX55C6V2		Cтабилитрон универсальный (Vz=5.86.6V (6.2V nom)@Iz=5 mA, tol=6%)	КИТАЙ
		BZX55C6V2		Cтабилитрон универсальный (Vz=5.86.6V (6.2V nom)@Iz=5 mA, tol=6%)	БРЕСТ	3 273	1.05
		BZX55C6V2		Cтабилитрон универсальный (Vz=5.86.6V (6.2V nom)@Iz=5 mA, tol=6%)	SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
		BZX55C6V2		Cтабилитрон универсальный (Vz=5.86.6V (6.2V nom)@Iz=5 mA, tol=6%)	GALAXY ME
		BZX55C6V2		Cтабилитрон универсальный (Vz=5.86.6V (6.2V nom)@Iz=5 mA, tol=6%)	PANJIT
		BZX55C6V2		Cтабилитрон универсальный (Vz=5.86.6V (6.2V nom)@Iz=5 mA, tol=6%)	HOTTECH	48 321	1.34  >100 шт.   0.67
		BZX55C6V2		Cтабилитрон универсальный (Vz=5.86.6V (6.2V nom)@Iz=5 mA, tol=6%)	SEMTECH	2 339	1.54
		BZX55C6V2		Cтабилитрон универсальный (Vz=5.86.6V (6.2V nom)@Iz=5 mA, tol=6%)	KLS
		BZX55C9V1		Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=9.1V, Izt-5mA		15 506	1.36
		BZX55C9V1		Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=9.1V, Izt-5mA	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		BZX55C9V1		Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=9.1V, Izt-5mA	VISHAY
		BZX55C9V1		Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=9.1V, Izt-5mA	CHINA
		BZX55C9V1		Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=9.1V, Izt-5mA	БРЕСТ
		BZX55C9V1		Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=9.1V, Izt-5mA	GALAXY
		BZX55C9V1		Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=9.1V, Izt-5mA	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		BZX55C9V1		Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=9.1V, Izt-5mA	Fairchild Semiconductor
		BZX55C9V1		Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=9.1V, Izt-5mA	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		BZX55C9V1		Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=9.1V, Izt-5mA	КИТАЙ	80	4.91
		BZX55C9V1		Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=9.1V, Izt-5mA	МАЛАЙЗИЯ
		BZX55C9V1		Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=9.1V, Izt-5mA	GALAXY ME
		BZX55C9V1		Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=9.1V, Izt-5mA	EIC	275	1.85
		BZX55C9V1		Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=9.1V, Izt-5mA	KINGTRONICS	24	3.10
		BZX55C9V1		Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=9.1V, Izt-5mA	HOTTECH	7 094	1.64  >100 шт.   0.82
		BZX55C9V1		Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=9.1V, Izt-5mA	KLS	10 800	1.74  >100 шт.   0.87
		BZX55C9V1		Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=9.1V, Izt-5mA	SEMTECH	1 403	1.27
		BZX55C9V1		Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=9.1V, Izt-5mA	1
		BZX55C9V1		Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=9.1V, Izt-5mA	GEMBIRD	25 976	1.05
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	VISHAY
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	ST MICROELECTRONICS
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт		323	98.28
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	Vishay/Siliconix
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	STMicroelectronics
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	DMS
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	SILICONIX	18
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	КИТАЙ
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	BLUEROCK	640	30.99
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	1
		КЦ407А		Блок из кремниевых, мезадиффузионных диодов, соединенных по мостовой схеме.	ДНЕПР	1 056	268.63
		КЦ407А		Блок из кремниевых, мезадиффузионных диодов, соединенных по мостовой схеме.		405	184.00
		КЦ407А		Блок из кремниевых, мезадиффузионных диодов, соединенных по мостовой схеме.	ХЕРСОН
		КЦ407А		Блок из кремниевых, мезадиффузионных диодов, соединенных по мостовой схеме.	П/П 1
		КЦ407А		Блок из кремниевых, мезадиффузионных диодов, соединенных по мостовой схеме.	САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРОВ
		КЦ407А		Блок из кремниевых, мезадиффузионных диодов, соединенных по мостовой схеме.	RUS
		КЦ407А		Блок из кремниевых, мезадиффузионных диодов, соединенных по мостовой схеме.	СЗТП
		КЦ407А		Блок из кремниевых, мезадиффузионных диодов, соединенных по мостовой схеме.	П/П 2
		КЦ407А		Блок из кремниевых, мезадиффузионных диодов, соединенных по мостовой схеме.	РОССИЯ	568	351.02
		КЦ407А		Блок из кремниевых, мезадиффузионных диодов, соединенных по мостовой схеме.	САПФИР

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"