Версия для печати
Технические характеристики MURS360T3G

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1.28V @ 4A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	600V
Current - Average Rectified (Io)	4A
Current - Reverse Leakage @ Vr	10µA @ 600V
Diode Type	Standard
Скорость	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)	75ns
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	DO-214AB, SMC
Корпус	SMCJ (DO-214AB)

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Диоды

 » 

Диоды, выпрямители - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		11.0592 MHZ HC-49S			ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		11.0592 MHZ HC-49S			FRONTER
		11.0592 MHZ HC-49S			CHINA
		B82721K2122N020
		B82721K2122N020			EPCOS
		B82721K2122N020			TDK
		B82721K2122N020			TDK-EPC	1	150.27
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	NXP	2 664	2.10
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	PHILIPS
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	FAIR
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	GENERAL SEMICONDUCTOR
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	DC COMPONENTS	7 655	2.18
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	ON SEMICONDUCTOR
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	DIOTEC	18 155	3.84
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	ES
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	FAIRCHILD
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	GALAXY
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	FAIRCHILD
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	GENERAL SEMICONDUCTOR
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	NXP
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	PHILIPS	486
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	STMicroelectronics
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	PHILIPS SEMIC
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	КИТАЙ
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	INFINEON TECH
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	ON SEMIC
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	GALAXY ME
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	HOTTECH	348 808	1.66  >100 шт.   0.83
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...		42 925	1.52  >100 шт.   0.76
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	LRC
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	KLS
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	KOME	1	1.64
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	SUNTAN	4 156	1.66  >100 шт.   0.83
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	YANGJIE (YJ)
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	NEX-NXP	112	3.10
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	YJ	127 021	2.07
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	TRR	62 400	1.29  >500 шт.   0.43
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	XXW	177 011	1.36  >100 шт.   0.68
		MCP633-E/SN			MICRO CHIP
		MCP633-E/SN			Microchip Technology
		MCP633-E/SN
		MCP633-E/SN			4-7 НЕДЕЛЬ	149
		SS34		Диод Шоттки smd (U=40V, I=3A@T=75C)	FAIR
		SS34		Диод Шоттки smd (U=40V, I=3A@T=75C)	JIFU SEMICONDUCTOR
		SS34		Диод Шоттки smd (U=40V, I=3A@T=75C)	FSC
		SS34		Диод Шоттки smd (U=40V, I=3A@T=75C)		19 448	3.91
		SS34		Диод Шоттки smd (U=40V, I=3A@T=75C)	FAIRCHILD
		SS34		Диод Шоттки smd (U=40V, I=3A@T=75C)	FAIRCHILD	1 296
		SS34		Диод Шоттки smd (U=40V, I=3A@T=75C)	JIFU SEMICONDUCTOR
		SS34		Диод Шоттки smd (U=40V, I=3A@T=75C)	Fairchild Semiconductor
		SS34		Диод Шоттки smd (U=40V, I=3A@T=75C)	TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.	45
		SS34		Диод Шоттки smd (U=40V, I=3A@T=75C)	GALAXY
		SS34		Диод Шоттки smd (U=40V, I=3A@T=75C)	КИТАЙ
		SS34		Диод Шоттки smd (U=40V, I=3A@T=75C)	DC COMPONENTS
		SS34		Диод Шоттки smd (U=40V, I=3A@T=75C)	MIC	26 324	5.23
		SS34		Диод Шоттки smd (U=40V, I=3A@T=75C)	ONS-FAIR
		SS34		Диод Шоттки smd (U=40V, I=3A@T=75C)	YJ	44 262	3.52
		SS34		Диод Шоттки smd (U=40V, I=3A@T=75C)	GALAXY ME
		SS34		Диод Шоттки smd (U=40V, I=3A@T=75C)	HOTTECH	13 365	5.15
		SS34		Диод Шоттки smd (U=40V, I=3A@T=75C)	YANGJIE
		SS34		Диод Шоттки smd (U=40V, I=3A@T=75C)	YANGJIE (YJ)
		SS34		Диод Шоттки smd (U=40V, I=3A@T=75C)	ONS
		SS34		Диод Шоттки smd (U=40V, I=3A@T=75C)	JSCJ	61 648	3.06
		SS34		Диод Шоттки smd (U=40V, I=3A@T=75C)	1
		SS34		Диод Шоттки smd (U=40V, I=3A@T=75C)	MDD	11 219	2.11

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"