0.22UF X 630V (CL21)

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
ECAP 100/100V 1019 SK	Электролитический алюминиевый конденсатор 100 мкФ 100 В	YAGEO
MC7809CTG	Линейный СН (Vout=9.0V, tol=4%, I=1.0A, Vinmax=35V, Udrop=2.0V@1.0A, 0 to +125C)	ON SEMICONDUCTOR
MC7809CTG	Линейный СН (Vout=9.0V, tol=4%, I=1.0A, Vinmax=35V, Udrop=2.0V@1.0A, 0 to +125C)	ONS	1	21.22
MC7809CTG	Линейный СН (Vout=9.0V, tol=4%, I=1.0A, Vinmax=35V, Udrop=2.0V@1.0A, 0 to +125C)			26.12
MC7809CTG	Линейный СН (Vout=9.0V, tol=4%, I=1.0A, Vinmax=35V, Udrop=2.0V@1.0A, 0 to +125C)	ON SEMICONDUCTOR
MC7809CTG	Линейный СН (Vout=9.0V, tol=4%, I=1.0A, Vinmax=35V, Udrop=2.0V@1.0A, 0 to +125C)	ON SEMICONDUCTO
MC7809CTG	Линейный СН (Vout=9.0V, tol=4%, I=1.0A, Vinmax=35V, Udrop=2.0V@1.0A, 0 to +125C)	4-7 НЕДЕЛЬ	321
TLP521-4GB	Оптрон 4-кан. 5.3кВ CTR	TOSHIBA	3 888	154.98
TLP521-4GB	Оптрон 4-кан. 5.3кВ CTR			106.68
TLP521-4GB	Оптрон 4-кан. 5.3кВ CTR	TOS
TLP521-4GB	Оптрон 4-кан. 5.3кВ CTR	ЯПОНИЯ
К50-20-16В-1000 МКФ			3	15.12
КР159НТ1Б	Микросхема матрица из двух n-p-n транзисторов (для построения дифференциальных усилителей)		801	37.48
КР159НТ1Б	Микросхема матрица из двух n-p-n транзисторов (для построения дифференциальных усилителей)	ТОНДИ