|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
10000МКФ 50 (30X45)105°C |
|
|
|
|
|
|
|
|
BZX85C10 |
|
Стабилитрон универсальный (Vz=9.410.6V (10V nom)@Iz=25 mA, tol=5%)
|
|
|
8.68
|
|
|
|
BZX85C10 |
|
Стабилитрон универсальный (Vz=9.410.6V (10V nom)@Iz=25 mA, tol=5%)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BZX85C10 |
|
Стабилитрон универсальный (Vz=9.410.6V (10V nom)@Iz=25 mA, tol=5%)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BZX85C10 |
|
Стабилитрон универсальный (Vz=9.410.6V (10V nom)@Iz=25 mA, tol=5%)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BZX85C10 |
|
Стабилитрон универсальный (Vz=9.410.6V (10V nom)@Iz=25 mA, tol=5%)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BZX85C10 |
|
Стабилитрон универсальный (Vz=9.410.6V (10V nom)@Iz=25 mA, tol=5%)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
BZX85C10 |
|
Стабилитрон универсальный (Vz=9.410.6V (10V nom)@Iz=25 mA, tol=5%)
|
ONS
|
528
|
10.33
|
|
|
|
KBPC3510W |
|
Диодный мост 35А, 1000В
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
KBPC3510W |
|
Диодный мост 35А, 1000В
|
|
|
217.36
|
|
|
|
KBPC3510W |
|
Диодный мост 35А, 1000В
|
WTE
|
|
|
|
|
|
KBPC3510W |
|
Диодный мост 35А, 1000В
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
KBPC3510W |
|
Диодный мост 35А, 1000В
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
KBPC3510W |
|
Диодный мост 35А, 1000В
|
MIC
|
170
|
71.70
|
|
|
|
KBPC3510W |
|
Диодный мост 35А, 1000В
|
YJ
|
144
|
151.08
|
|
|
|
KBPC3510W |
|
Диодный мост 35А, 1000В
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
KBPC3510W |
|
Диодный мост 35А, 1000В
|
SEP
|
|
|
|
|
|
KBPC3510W |
|
Диодный мост 35А, 1000В
|
WUXI XUYANG
|
|
|
|
|
|
KBPC3510W |
|
Диодный мост 35А, 1000В
|
YANGJIE
|
9 000
|
87.70
|
|
|
|
KBPC3510W |
|
Диодный мост 35А, 1000В
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
KBPC3510W |
|
Диодный мост 35А, 1000В
|
HOTTECH
|
893
|
85.19
|
|
|
|
К50-20-16В-1000 МКФ |
|
|
|
3
|
15.12
|
|
|
|
КР159НТ1Б |
|
Микросхема матрица из двух n-p-n транзисторов (для построения дифференциальных усилителей)
|
|
800
|
34.02
|
|
|
|
КР159НТ1Б |
|
Микросхема матрица из двух n-p-n транзисторов (для построения дифференциальных усилителей)
|
ТОНДИ
|
|
|
|