B32652A0103J000

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
B32652A0103J000 (TDK-EPC)	3 537	11.94

Версия для печати

Технические характеристики B32652A0103J000

Производитель	EPCOS (SIEMENS MATSUSHITA COMP.)
Допуск емкости	±5%
Номинальное постоянное напряжение	1 кВ
Номинальное переменное напряжение	250 В
Диэлектрик	Polypropylene
Номинальное напряжение	1 кВ
Размер	18.0x5.0x10.5
Шаг выводов	15
Рабочая температура	-55...100 °C
	Metallized Polypropylene Film Capacitors (MKP
Емкость	0.01 мкФ
Серия	B32652
Корпус (размер)	PIN
Тип монтажа	Выводной
Тип	Пленочный
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Voltage - AC	250V
Voltage - DC	1000V (1kV)
Dielectric Material	Polypropylene, Metallized
Допустимые отклонения емкости	±5%
Tolerance	±5%
Рабочая температура	-55°C ~ 110°C
Size / Dimension	0.709" L x 0.197" W (18.00mm x 5.00mm)
Высота	0.413" (10.50mm)
Termination	PC Pins
Lead Spacing	0.591" (15.00mm)
Возможности	AC and Pulse

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
1N5339BRLG СТАБИЛИТРОН 5.6V 5W		ON SEMICONDUCTOR
B013MF		GAINTA	175	653.93
B013MF
B84771A0008A000, 8А 250В		EPCOS
BFR92A,215		NXP Semiconductors
BFR92A,215		NXP
BFR92A,215		NXP
STW9N150	N-channel 1500 v - 1.8 ? - 8 a - to-247 very high voltage powermesh™ power mosfet	ST MICROELECTRONICS
STW9N150	N-channel 1500 v - 1.8 ? - 8 a - to-247 very high voltage powermesh™ power mosfet	STMicroelectronics
STW9N150	N-channel 1500 v - 1.8 ? - 8 a - to-247 very high voltage powermesh™ power mosfet		108	288.62
STW9N150	N-channel 1500 v - 1.8 ? - 8 a - to-247 very high voltage powermesh™ power mosfet		108	288.62
STW9N150	N-channel 1500 v - 1.8 ? - 8 a - to-247 very high voltage powermesh™ power mosfet	ST MICROELECTRO
STW9N150	N-channel 1500 v - 1.8 ? - 8 a - to-247 very high voltage powermesh™ power mosfet	ST MICROELECTRONICS SEMI	1 200