| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
2РМДТ27КПН19Г5В1В |
|
Розетка кабельная 2РМДТ, прямая, 19 контактов с покрытием серебро, всеклиматическое ...
|
|
37
|
2 320.00
|
|
|
|
|
2РМДТ27КПН19Г5В1В |
|
Розетка кабельная 2РМДТ, прямая, 19 контактов с покрытием серебро, всеклиматическое ...
|
КОМ
|
|
|
|
|
|
|
2РМДТ27КПН19Г5В1В |
|
Розетка кабельная 2РМДТ, прямая, 19 контактов с покрытием серебро, всеклиматическое ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
2РМДТ27КПН19Г5В1В |
|
Розетка кабельная 2РМДТ, прямая, 19 контактов с покрытием серебро, всеклиматическое ...
|
ЭЛЕКОН
|
39
|
6 135.30
|
|
|
|
|
2РМДТ27КПН19Г5В1В |
|
Розетка кабельная 2РМДТ, прямая, 19 контактов с покрытием серебро, всеклиматическое ...
|
ИСЕТЬ
|
|
|
|
|
|
|
2РМДТ27КПН19Г5В1В |
|
Розетка кабельная 2РМДТ, прямая, 19 контактов с покрытием серебро, всеклиматическое ...
|
РОССИЯ
|
|
|
|
|
|
|
2РМДТ27КПН19Г5В1В |
|
Розетка кабельная 2РМДТ, прямая, 19 контактов с покрытием серебро, всеклиматическое ...
|
1
|
|
|
|
|
|
|
2РМДТ27КПН19Г5В1В |
|
Розетка кабельная 2РМДТ, прямая, 19 контактов с покрытием серебро, всеклиматическое ...
|
ЛТАВА
|
52
|
3 304.80
|
|
|
|
|
2РМТ22КПЭ10Ш1В1В |
|
|
|
20
|
1 750.00
|
|
|
|
|
2РМТ22КПЭ10Ш1В1В |
|
|
ЭЛЕКОН
|
14
|
4 329.90
|
|
|
|
|
2РМТ22КПЭ10Ш1В1В |
|
|
ИСЕТЬ
|
|
|
|
|
|
|
B013 МЕТАЛЛИЧ. |
|
|
GAINTA
|
|
|
|
|
|
|
B013 МЕТАЛЛИЧ. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
BAV99LT1G |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
BAV99LT1G |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
LESHAN RADIO COMPANY
|
|
|
|
|
|
|
BAV99LT1G |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
BAV99LT1G |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ONS
|
1
|
1.50
|
|
|
|
|
BAV99LT1G |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
|
10 814
|
2.40
|
|
|
|
|
BAV99LT1G |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
LESHAN RADIO COMPANY, LTD
|
|
|
|
|
|
|
BAV99LT1G |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
11 847
|
|
|
|
|
|
BAV99LT1G |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
|
BAV99LT1G |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
BAV99LT1G |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
|
BAV99LT1G |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ONSEMI
|
|
|
|
|
|
|
BAV99LT1G |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FUXIN
|
28 104
|
1.05
|
|
|
|
|
VS-10ETF12-M3 |
|
|
VISHAY
|
1 200
|
186.96
|
|
|
|
|
VS-10ETF12-M3 |
|
|
|
|
|
|
Версия для печати
