470МКФ10В(6.3X11)105°C

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
2200МКФ25В(13X20)105°C
2200МКФ25В(13X20)105°C		JAMICON
220МКФ25В(6.3X15)105°C
220МКФ25В(6.3X15)105°C		JAMICON
BSH201	P-channel enhancement mode mos transistor	NXP
BSH201	P-channel enhancement mode mos transistor	PHILIPS
BSH201	P-channel enhancement mode mos transistor			18.00
BSH201	P-channel enhancement mode mos transistor	NXP
BSH201	P-channel enhancement mode mos transistor	PHILIPS	40
BSH201	P-channel enhancement mode mos transistor	JSMICRO	5 312	3.78
TDA2030A-5
КТ805АМ	Транзистор кремниевый эпитаксиальной структуры NPN переключательный для применения в ...		408	80.96
КТ805АМ	Транзистор кремниевый эпитаксиальной структуры NPN переключательный для применения в ...	КРЕМНИЙ	80	81.98
КТ805АМ	Транзистор кремниевый эпитаксиальной структуры NPN переключательный для применения в ...	БРЯНСК	2 656	97.52
КТ805АМ	Транзистор кремниевый эпитаксиальной структуры NPN переключательный для применения в ...	ВОРОНЕЖСКИЙ ЗПП
КТ805АМ	Транзистор кремниевый эпитаксиальной структуры NPN переключательный для применения в ...	МИНСК
КТ805АМ	Транзистор кремниевый эпитаксиальной структуры NPN переключательный для применения в ...	ВОРОНЕЖ
КТ805АМ	Транзистор кремниевый эпитаксиальной структуры NPN переключательный для применения в ...	RUS
КТ805АМ	Транзистор кремниевый эпитаксиальной структуры NPN переключательный для применения в ...	ИНТЕГРАЛ
КТ805АМ	Транзистор кремниевый эпитаксиальной структуры NPN переключательный для применения в ...	КРЕМНИЙ ЭЛ
КТ805АМ	Транзистор кремниевый эпитаксиальной структуры NPN переключательный для применения в ...	3423
КТ805АМ	Транзистор кремниевый эпитаксиальной структуры NPN переключательный для применения в ...	88