TDC1000PWR

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
ER14505S		EEMB
ER14505S
ER14505S		FANSO
IRF510PBF	Транзистор полевой N-канальный MOSFET (100V, 5.6A, 43W, 0.54R)	VISHAY	9	50.00
IRF510PBF	Транзистор полевой N-канальный MOSFET (100V, 5.6A, 43W, 0.54R)		77	146.15
IRF510PBF	Транзистор полевой N-канальный MOSFET (100V, 5.6A, 43W, 0.54R)	Vishay/Siliconix
IRF510PBF	Транзистор полевой N-канальный MOSFET (100V, 5.6A, 43W, 0.54R)	VISHAY/IR
IRF510PBF	Транзистор полевой N-канальный MOSFET (100V, 5.6A, 43W, 0.54R)	INTERNATIONAL RECTIFIER
TDC7200PW		TEXAS INSTRUMENTS
TDC7200PW
TPSB106K016R0500		AVX Corporation
TPSB106K016R0500		AVX
TPSB106K016R0500
TPSB106K016R0500		KYOCERA-AVX
КТ972Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный			20.40
КТ972Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ТРАНЗИСТОР
КТ972Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	МИНСК	8 966	37.80
КТ972Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ТРАНЗИСТОР МИНСК
КТ972Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ЗПП МИНСК
КТ972Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ИНТЕГРАЛ
КТ972Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ИНТЕГРАЛ-С
КТ972Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	1154
КТ972Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	2000
КТ972Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	2276
КТ972Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	2380
КТ972Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	3398