TDC1000PWR

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
293D476X0010B2TE3	Танталовый ЧИП конденсатор 47 мкФ, 10В, тип В, 20%	Vishay/Sprague
293D476X0010B2TE3	Танталовый ЧИП конденсатор 47 мкФ, 10В, тип В, 20%	VISHAY
293D476X0010B2TE3	Танталовый ЧИП конденсатор 47 мкФ, 10В, тип В, 20%
F951C476MBAAQ2		Nichicon
F951C476MBAAQ2		AVX
F951C476MBAAQ2
F951C476MBAAQ2		KYOCERA-AVX
IRF510PBF	Транзистор полевой N-канальный MOSFET (100V, 5.6A, 43W, 0.54R)	VISHAY	9	59.74
IRF510PBF	Транзистор полевой N-канальный MOSFET (100V, 5.6A, 43W, 0.54R)		77	146.15
IRF510PBF	Транзистор полевой N-канальный MOSFET (100V, 5.6A, 43W, 0.54R)	Vishay/Siliconix
IRF510PBF	Транзистор полевой N-канальный MOSFET (100V, 5.6A, 43W, 0.54R)	VISHAY/IR
IRF510PBF	Транзистор полевой N-канальный MOSFET (100V, 5.6A, 43W, 0.54R)	INTERNATIONAL RECTIFIER
TDC7200PW		TEXAS INSTRUMENTS
TDC7200PW
КТ972Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный			20.40
КТ972Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ТРАНЗИСТОР
КТ972Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	МИНСК	9 518	37.80
КТ972Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ТРАНЗИСТОР МИНСК
КТ972Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ЗПП МИНСК
КТ972Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ИНТЕГРАЛ
КТ972Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ИНТЕГРАЛ-С