R1001N12B1-B50K

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
305-031-12(TB-02B)		XINYA
3296W-1-104LF	Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 100 кОм 3/8``	BOURNS	4 362	69.77
3296W-1-104LF	Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 100 кОм 3/8``	CHINA
3296W-1-104LF	Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 100 кОм 3/8``			307.40
3296W-1-104LF	Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 100 кОм 3/8``	Bourns Inc
3296W-1-104LF	Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 100 кОм 3/8``	BOURNS	148
3296W-1-104LF	Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 100 кОм 3/8``	BOURNS SENSORS
3296W-1-104LF	Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 100 кОм 3/8``	OLITECH
DG129-5.0-02P-14-00AH		DEGSON ELECTRONICS	90 790	17.99
DG129-5.0-02P-14-00AH
R1001N12B1-A50K, 50 КОМ		SONG HUEI
КТ816Г	Транзистор среднечастотный структуры PNP		672	30.18
КТ816Г	Транзистор среднечастотный структуры PNP	КРЕМНИЙ	5 084	33.90
КТ816Г	Транзистор среднечастотный структуры PNP	ТРАНЗИСТОР
КТ816Г	Транзистор среднечастотный структуры PNP	БРЯНСК	10 233	37.80
КТ816Г	Транзистор среднечастотный структуры PNP	МИНСК
КТ816Г	Транзистор среднечастотный структуры PNP	RUS
КТ816Г	Транзистор среднечастотный структуры PNP	ИНТЕГРАЛ