|
|
Версия для печати
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 31nC @ 4.5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.45V @ 250µA |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 120A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4 mOhm @ 15A, 10V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 2830pF @ 10V |
| Power - Max | 89W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Корпус | D-Pak |
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SJ598 |
|
P-MOS 60V, 12A, 23W | NEC |
|
|
|||
| 2SJ598 |
|
P-MOS 60V, 12A, 23W |
|
127.60 | ||||
| BZX55-C9V1 | GENERAL SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| BZX55-C9V1 | DC COMPONENTS | 20 668 | 1.21 | |||||
| BZX55-C9V1 | VISHAY |
|
|
|||||
| BZX55-C9V1 |
|
|
||||||
| BZX55-C9V1 | GENERAL SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| BZX55-C9V1 | KEEN SIDE | 12 436 |
1.14 >100 шт. 0.57 |
|||||
|
|
|
FR607 (6A 1000V) |
|
Диод импульсный быстровосстанавливающийся 6A, 1000В, 500нс |
|
|
||
| LM2576HVT-ADJ/NOPB TO220-5 |
|
|
||||||
|
|
|
TL431ACDBZR |
|
Стабилизатор напряжения регулируемый 3-36V 0,1A | TEXAS INSTRUMENTS | 1 234 | 16.80 | |
|
|
|
TL431ACDBZR |
|
Стабилизатор напряжения регулируемый 3-36V 0,1A | NXP |
|
|
|
|
|
|
TL431ACDBZR |
|
Стабилизатор напряжения регулируемый 3-36V 0,1A | 4 936 | 9.50 | ||
|
|
|
TL431ACDBZR |
|
Стабилизатор напряжения регулируемый 3-36V 0,1A | TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
|
|
|
|
TL431ACDBZR |
|
Стабилизатор напряжения регулируемый 3-36V 0,1A | TEXAS |
|
|
|
|
|
|
TL431ACDBZR |
|
Стабилизатор напряжения регулируемый 3-36V 0,1A | TEXAS INSTRUMEN |
|
|
|
|
|
|
TL431ACDBZR |
|
Стабилизатор напряжения регулируемый 3-36V 0,1A | 4-7 НЕДЕЛЬ | 248 |
|