STPSC406B-TR
|
|
Версия для печати
| Скорость | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 50µA @ 600V |
| Current - Average Rectified (Io) | 4A |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.9V @ 4A |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0ns |
| Capacitance @ Vr, F | 200pF @ 0V, 1MHz |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Корпус | D-Pak |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| LMV431BIMF | NSC |
|
|
|||||
| LMV431BIMF | TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
|||||
| LMV431BIMF |
|
|
||||||
| LMV431BIMF | 4-7 НЕДЕЛЬ | 256 |
|
|||||
| SPD06N80C3 | INFINEON |
|
|
|||||
| SPD06N80C3 | INFINEON |
|
|
|||||
| SPD06N80C3 | Infineon Technologies |
|
|
|||||
| SPD06N80C3 |
|
|
||||||
| STD13NM60N | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|||||
| STD13NM60N | STMicroelectronics |
|
|
|||||
| STD13NM60N |
|
|
||||||
| STD13NM60N |
|
|
||||||
| STD13NM60N | ST MICROELECTRONICS SEMI |
|
|
|||||
| STPS15L45CB-TR | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|||||
| STPS15L45CB-TR | STMicroelectronics |
|
|
|||||
| STPS15L45CB-TR | 1 968 | 63.59 | ||||||
| STPS40L45CG | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|||||
| STPS40L45CG | ST MICROELECTRONICS SEMI |
|
|
|||||
| STPS40L45CG |
|
|
