Версия для печати
Технические характеристики MJD122T4G

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type	NPN - Darlington
Current - Collector (Ic) (Max)	8A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	100V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max)	10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	1000 @ 4A, 4V
Power - Max	1.75W
Frequency - Transition	4MHz
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус	DPAK-3

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (биполярные) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		74HC00D		Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), 4 ЛЭ 2И-НЕ	FAIR
		74HC00D		Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), 4 ЛЭ 2И-НЕ	PHILIPS
		74HC00D		Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), 4 ЛЭ 2И-НЕ	NXP	4 124	16.96
		74HC00D		Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), 4 ЛЭ 2И-НЕ		8	22.20
		74HC00D		Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), 4 ЛЭ 2И-НЕ	NXP	160
		74HC00D		Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), 4 ЛЭ 2И-НЕ	PHILIPS	35
		74HC00D		Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), 4 ЛЭ 2И-НЕ	МАРОККО
		74HC00D		Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), 4 ЛЭ 2И-НЕ	КИТАЙ
		74HC00D		Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), 4 ЛЭ 2И-НЕ	TEXAS INSTRUMENTS
		74HC00D		Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), 4 ЛЭ 2И-НЕ	NEXPERIA
		74HC00D		Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), 4 ЛЭ 2И-НЕ	HTC TAEJIN
		74HC00D		Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), 4 ЛЭ 2И-НЕ	HTC	613	19.99
		74HC00D		Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), 4 ЛЭ 2И-НЕ	4-7 НЕДЕЛЬ	331
		74HC00D		Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), 4 ЛЭ 2И-НЕ	NXP/NEXPERIA	3 084	13.15
		BMP280 I2C OR SPI BAROMETRIC PRESSURE & ALTITUDE SENSOR			ADAFRUIT
		LM2931ADT50R			ST MICROELECTRONICS
		LM2931ADT50R
		LM2931ADT50R			STMicroelectronics
		LM2931ADT50R			4-7 НЕДЕЛЬ	540
		MMBTA42LT1G		Транзистор NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C), Pb-free.	ON SEMICONDUCTOR
		MMBTA42LT1G		Транзистор NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C), Pb-free.	ONS	41	14.46
		MMBTA42LT1G		Транзистор NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C), Pb-free.	ON SEMICONDUCTOR	160
		MMBTA42LT1G		Транзистор NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C), Pb-free.	ON SEMICONDUCTO
		MMBTA42LT1G		Транзистор NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C), Pb-free.	ONSEMICONDUCTOR
		MMBTA42LT1G		Транзистор NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C), Pb-free.		26 416	2.66
		PC817C		Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц	SHARP	15 068	8.27
		PC817C		Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц		32	12.95
		PC817C		Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц	КИТАЙ
		PC817C		Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц	EVL
		PC817C		Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц	SHARPLCD
		PC817C		Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц	MICRONE	3 593	3.08
		PC817C		Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц	EVERLLIGHT
		PC817C		Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц	CHE
		PC817C		Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц	YOUTAI	58 031	3.79
		PC817C		Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц	UMW-YOUTAI
		PC817C		Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц	SLKOR	19 583	2.02
		PC817C		Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц	4-7 НЕДЕЛЬ	336

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"