|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
AD8542ARZ |
|
2 Операционный усилитель CMOS, вх./вых. размах до шин питания, 0,98 МГц, 0,75 В/мкс, ...
|
ANALOG DEVICES
|
20 704
|
75.60
|
|
|
|
AD8542ARZ |
|
2 Операционный усилитель CMOS, вх./вых. размах до шин питания, 0,98 МГц, 0,75 В/мкс, ...
|
|
1 042
|
151.20
|
|
|
|
AD8542ARZ |
|
2 Операционный усилитель CMOS, вх./вых. размах до шин питания, 0,98 МГц, 0,75 В/мкс, ...
|
ANALOG
|
|
|
|
|
|
AD8542ARZ |
|
2 Операционный усилитель CMOS, вх./вых. размах до шин питания, 0,98 МГц, 0,75 В/мкс, ...
|
ANALOG DEVICES
|
1
|
|
|
|
|
AD8542ARZ |
|
2 Операционный усилитель CMOS, вх./вых. размах до шин питания, 0,98 МГц, 0,75 В/мкс, ...
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
|
|
AD8542ARZ |
|
2 Операционный усилитель CMOS, вх./вых. размах до шин питания, 0,98 МГц, 0,75 В/мкс, ...
|
США
|
|
|
|
|
|
AD8542ARZ |
|
2 Операционный усилитель CMOS, вх./вых. размах до шин питания, 0,98 МГц, 0,75 В/мкс, ...
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
AD8542ARZ |
|
2 Операционный усилитель CMOS, вх./вых. размах до шин питания, 0,98 МГц, 0,75 В/мкс, ...
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
AD8542ARZ |
|
2 Операционный усилитель CMOS, вх./вых. размах до шин питания, 0,98 МГц, 0,75 В/мкс, ...
|
YOUTAI
|
1 588
|
18.56
|
|
|
|
AD8542ARZ |
|
2 Операционный усилитель CMOS, вх./вых. размах до шин питания, 0,98 МГц, 0,75 В/мкс, ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
324
|
|
|
|
|
LM1117DT-1.8 |
|
ЛСН ``low drop`` (Vout=1.8V, tol=1%, I=0.8A, Vin(max)=20V, Udrop=1.2V@0.8A, 0 to +125C)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM1117DT-1.8 |
|
ЛСН ``low drop`` (Vout=1.8V, tol=1%, I=0.8A, Vin(max)=20V, Udrop=1.2V@0.8A, 0 to +125C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM1117DT-1.8 |
|
ЛСН ``low drop`` (Vout=1.8V, tol=1%, I=0.8A, Vin(max)=20V, Udrop=1.2V@0.8A, 0 to +125C)
|
|
3
|
160.02
|
|
|
|
LM1117DT-1.8 |
|
ЛСН ``low drop`` (Vout=1.8V, tol=1%, I=0.8A, Vin(max)=20V, Udrop=1.2V@0.8A, 0 to +125C)
|
NSC
|
|
|
|
|
|
LM1117DT-1.8 |
|
ЛСН ``low drop`` (Vout=1.8V, tol=1%, I=0.8A, Vin(max)=20V, Udrop=1.2V@0.8A, 0 to +125C)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
24
|
|
|
|
|
LM1117DT-1.8 |
|
ЛСН ``low drop`` (Vout=1.8V, tol=1%, I=0.8A, Vin(max)=20V, Udrop=1.2V@0.8A, 0 to +125C)
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
LM1117DT-1.8 |
|
ЛСН ``low drop`` (Vout=1.8V, tol=1%, I=0.8A, Vin(max)=20V, Udrop=1.2V@0.8A, 0 to +125C)
|
NS
|
20
|
157.50
|
|
|
|
LM1117DT-1.8 |
|
ЛСН ``low drop`` (Vout=1.8V, tol=1%, I=0.8A, Vin(max)=20V, Udrop=1.2V@0.8A, 0 to +125C)
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
510
|
|
|
|
|
LMC7101BIM5/NOPB |
|
Низкопотребляющий ОУ ``rail-to-rail`` вх. и вых. (Vss=2,715,5V, Voff=7mV , ...
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LMC7101BIM5/NOPB |
|
Низкопотребляющий ОУ ``rail-to-rail`` вх. и вых. (Vss=2,715,5V, Voff=7mV , ...
|
NSC
|
|
|
|
|
|
LMC7101BIM5/NOPB |
|
Низкопотребляющий ОУ ``rail-to-rail`` вх. и вых. (Vss=2,715,5V, Voff=7mV , ...
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LMC7101BIM5/NOPB |
|
Низкопотребляющий ОУ ``rail-to-rail`` вх. и вых. (Vss=2,715,5V, Voff=7mV , ...
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
106
|
|
|
|
|
LMC7101BIM5/NOPB |
|
Низкопотребляющий ОУ ``rail-to-rail`` вх. и вых. (Vss=2,715,5V, Voff=7mV , ...
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
LMC7101BIM5/NOPB |
|
Низкопотребляющий ОУ ``rail-to-rail`` вх. и вых. (Vss=2,715,5V, Voff=7mV , ...
|
|
800
|
64.75
|
|
|
|
LMC7101BIM5/NOPB |
|
Низкопотребляющий ОУ ``rail-to-rail`` вх. и вых. (Vss=2,715,5V, Voff=7mV , ...
|
TEXASINSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
LMC7101BIM5/NOPB |
|
Низкопотребляющий ОУ ``rail-to-rail`` вх. и вых. (Vss=2,715,5V, Voff=7mV , ...
|
0.00
|
|
|
|
|
|
RD02MUS1-T112 |
|
|
MITSUBISHI
|
|
|
|
|
|
RD02MUS1-T112 |
|
|
MIT
|
|
|
|
|
|
RD02MUS1-T112 |
|
|
|
|
|
|
|
|
ЭНКОДЕР PEC11-4225F-S0024 |
|
|
BOURNS
|
|
|
|
|
|
ЭНКОДЕР PEC11-4225F-S0024 |
|
|
КИТАЙ
|
|
|
|