Версия для печати
Технические характеристики IRFR4105ZPBF

Gate Charge (Qg) @ Vgs	27nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	30A
Drain to Source Voltage (Vdss)	55V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	24.5 mOhm @ 18A, 10V
FET Feature	Standard
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	740pF @ 25V
Power - Max	48W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус	D-Pak

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2N7002LT1G		Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)	ON SEMICONDUCTOR	134 240	1.86
		2N7002LT1G		Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)			4.00
		2N7002LT1G		Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)	ONS	23	4.66
		2N7002LT1G		Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)	ON SEMICONDUCTOR	2 533
		2N7002LT1G		Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)	ON SEMIC
		2N7002LT1G		Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)	ON SEMICONDUCTO
		2N7002LT1G		Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)	ONSEMICONDUCTOR
		2N7002LT1G		Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)	ONS-FAIR
		2N7002LT1G		Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)	LRC
		2N7002LT1G		Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)	VBSEMI	4 892	6.25
		2N7002LT1G		Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)	ONSEMI	128	1.55
		2N7002LT1G		Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)	167800
		2N7002LT1G		Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)	161
		BZX84C12		Cтабилитрон универсальный 12В, 0.2Вт	VISHAY
		BZX84C12		Cтабилитрон универсальный 12В, 0.2Вт	NXP
		BZX84C12		Cтабилитрон универсальный 12В, 0.2Вт	FAIR
		BZX84C12		Cтабилитрон универсальный 12В, 0.2Вт	GENERAL SEMICONDUCTOR
		BZX84C12		Cтабилитрон универсальный 12В, 0.2Вт	DC COMPONENTS	34 509	3.57
		BZX84C12		Cтабилитрон универсальный 12В, 0.2Вт		13 548	1.84  >100 шт.   0.92
		BZX84C12		Cтабилитрон универсальный 12В, 0.2Вт	FAIRCHILD
		BZX84C12		Cтабилитрон универсальный 12В, 0.2Вт	GALAXY
		BZX84C12		Cтабилитрон универсальный 12В, 0.2Вт	FAIRCHILD	8 048
		BZX84C12		Cтабилитрон универсальный 12В, 0.2Вт	GENERAL SEMICONDUCTOR
		BZX84C12		Cтабилитрон универсальный 12В, 0.2Вт	Fairchild Semiconductor
		BZX84C12		Cтабилитрон универсальный 12В, 0.2Вт	КИТАЙ
		BZX84C12		Cтабилитрон универсальный 12В, 0.2Вт	DIOTEC
		BZX84C12		Cтабилитрон универсальный 12В, 0.2Вт	MCC
		BZX84C12		Cтабилитрон универсальный 12В, 0.2Вт	NEXPERIA
		BZX84C12		Cтабилитрон универсальный 12В, 0.2Вт	ON SEMICONDUCTOR
		BZX84C12		Cтабилитрон универсальный 12В, 0.2Вт	ONS
		BZX84C12		Cтабилитрон универсальный 12В, 0.2Вт	PHILIPS	1 251	1.86
		BZX84C12		Cтабилитрон универсальный 12В, 0.2Вт	GALAXY ME
		BZX84C12		Cтабилитрон универсальный 12В, 0.2Вт	MULTICOMP
		BZX84C12		Cтабилитрон универсальный 12В, 0.2Вт	HOTTECH	616	2.07
		BZX84C12		Cтабилитрон универсальный 12В, 0.2Вт	0.00
		BZX84C12		Cтабилитрон универсальный 12В, 0.2Вт	YJ	295 531	2.07
		BZX84C12		Cтабилитрон универсальный 12В, 0.2Вт	1
		BZX84C12		Cтабилитрон универсальный 12В, 0.2Вт	JSCJ	57 465	1.54
		BZX84C12		Cтабилитрон универсальный 12В, 0.2Вт	YANGZHOU YANGJIE
		BZX84C12		Cтабилитрон универсальный 12В, 0.2Вт	1689
		BZX84C12		Cтабилитрон универсальный 12В, 0.2Вт	XXW	21 248	1.26  >100 шт.   0.63
		SMBJ18A		Защитный диод 18В 600Вт SMD	LITTELFUSE
		SMBJ18A		Защитный диод 18В 600Вт SMD	DC COMPONENTS	3 723	11.82
		SMBJ18A		Защитный диод 18В 600Вт SMD	ST MICROELECTRONICS
		SMBJ18A		Защитный диод 18В 600Вт SMD	MCC
		SMBJ18A		Защитный диод 18В 600Вт SMD	LITTELFUSE	384
		SMBJ18A		Защитный диод 18В 600Вт SMD	GENERAL SEMICONDUCTOR
		SMBJ18A		Защитный диод 18В 600Вт SMD	Bourns Inc
		SMBJ18A		Защитный диод 18В 600Вт SMD	Littelfuse Inc
		SMBJ18A		Защитный диод 18В 600Вт SMD	Fairchild Semiconductor
		SMBJ18A		Защитный диод 18В 600Вт SMD	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		SMBJ18A		Защитный диод 18В 600Вт SMD		13 840	2.73
		SMBJ18A		Защитный диод 18В 600Вт SMD	LTL	2 200	17.00
		SMBJ18A		Защитный диод 18В 600Вт SMD	КИТАЙ
		SMBJ18A		Защитный диод 18В 600Вт SMD	MICROSEMI
		SMBJ18A		Защитный диод 18В 600Вт SMD	TSC
		SMBJ18A		Защитный диод 18В 600Вт SMD	BRIGHTKING	29	8.32
		SMBJ18A		Защитный диод 18В 600Вт SMD	WAYON	56	11.74
		SMBJ18A		Защитный диод 18В 600Вт SMD	JJM
		SMBJ18A		Защитный диод 18В 600Вт SMD	HOTTECH	136	4.13
		SMBJ18A		Защитный диод 18В 600Вт SMD	YJ
		SMBJ18A		Защитный диод 18В 600Вт SMD	1
		SMBJ18A		Защитный диод 18В 600Вт SMD	OLITECH
		SMBJ18A		Защитный диод 18В 600Вт SMD	SUNTAN
		SMBJ18A		Защитный диод 18В 600Вт SMD	TRR	2 000	2.63
		SMBJ18A		Защитный диод 18В 600Вт SMD	KEEN SIDE	4 526	3.16
		SMBJ18A		Защитный диод 18В 600Вт SMD	DIODES	126	9.30
		TPS76150DBVR					129.60
		TPS76150DBVR			TEXAS INSTRUMENTS	3	93.00
		TPS76150DBVR			TEXAS INSTRUMENTS
		TPS76150DBVR			TEXAS
		TPS76150DBVR			UNKNOWN
		TPS76150DBVR			4-7 НЕДЕЛЬ
		КР1171СП42		детектор понижения напряжения с напряжением срабатывания 4,2 В		51	75.03
		КР1171СП42		детектор понижения напряжения с напряжением срабатывания 4,2 В	ДАЛЕКС	204	153.69
		КР1171СП42		детектор понижения напряжения с напряжением срабатывания 4,2 В	АЛЕКСАНДРОВ	456	111.60
		КР1171СП42		детектор понижения напряжения с напряжением срабатывания 4,2 В	АЛЕКСАНДРОВСК
		КР1171СП42		детектор понижения напряжения с напряжением срабатывания 4,2 В	230

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"