IRFP90N20DPBF
Транзистор N-канальный MOSFET 200V 94A
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | HEXFET® |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23 mOhm @ 56A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 94A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 270nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 6040pF @ 25V |
| Power - Max | 580W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-247-3 (TO-247AC) |
| Корпус | TO-247AC |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MMBTA06LT1G |
|
Транзистор | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||
| MMBTA06LT1G |
|
Транзистор | ONS | 14 377 | 4.43 | |||
| MMBTA06LT1G |
|
Транзистор | ON SEMICONDUCTOR | 2 988 |
|
|||
| MMBTA06LT1G |
|
Транзистор | 16 |
|
||||
| MMBTA06LT1G |
|
Транзистор | ON SEMICONDUCTO |
|
|
|||
| MMBTA06LT1G |
|
Транзистор | ONSEMICONDUCTOR |
|
|
|||
 |
S1014 5А (ВПБ6) | 54 800 | 1.80 | |||||
| ТАНТАЛ 10МКФ 20В20%ТИПB |
|
|
||||||
| ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 1.6 КРАС. 0.5М | 1 |
|
||||||
| ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 1.6 КРАС. 0.5М | ПОЛЬША |
|
|
|||||
| ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 1.6 КРАС. 0.5М | ГЕРМАНИЯ |
|
|
|||||
| ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 2.4 БЕЛ. 0.5М |
|
30.76 | ||||||
| ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 2.4 БЕЛ. 0.5М | ПОЛЬША |
|
|
|||||
| ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 2.4 БЕЛ. 0.5М | ГЕРМАНИЯ |
|
|
