|
Версия для печати
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
IRFD210 |
|
Транзистор полевой N-канальный 200В 0.6А | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
IRFD210 |
|
Транзистор полевой N-канальный 200В 0.6А | VISHAY |
|
|
|
|
|
|
IRFD210 |
|
Транзистор полевой N-канальный 200В 0.6А | INTERSIL |
|
|
|
|
|
|
IRFD210 |
|
Транзистор полевой N-канальный 200В 0.6А | 6 | 73.08 | ||
|
|
|
IRFD210 |
|
Транзистор полевой N-канальный 200В 0.6А | INTERNATIONAL RECTIFIER | 20 |
|
|
|
|
|
IRFD210 |
|
Транзистор полевой N-канальный 200В 0.6А | INTERSIL |
|
|
|
|
|
|
IRFD210 |
|
Транзистор полевой N-канальный 200В 0.6А | Vishay/Siliconix |
|
|
|
|
|
|
IRFD210 |
|
Транзистор полевой N-канальный 200В 0.6А | VISHAY/IR |
|
|
|
|
|
|
IRFD210 |
|
Транзистор полевой N-канальный 200В 0.6А |
|
|
||
|
|
|
IRFP22N60K |
|
N-MOS 600V, 22A, 370W | VISHAY |
|
|
|
|
|
|
IRFP22N60K |
|
N-MOS 600V, 22A, 370W |
|
|
||
| MMBTA06LT1G |
|
Транзистор | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||
| MMBTA06LT1G |
|
Транзистор | ONS | 26 | 3.10 | |||
| MMBTA06LT1G |
|
Транзистор | ON SEMICONDUCTOR | 2 988 |
|
|||
| MMBTA06LT1G |
|
Транзистор | 16 |
|
||||
| MMBTA06LT1G |
|
Транзистор | ON SEMICONDUCTO |
|
|
|||
| MMBTA06LT1G |
|
Транзистор | ONSEMICONDUCTOR |
|
|
|||
| КТ 817 Г | RUS |
|
|
|||||
|
|
|
КТ 816 Г |
|
Транзистор среднечастотный структуры PNP | RUS |
|
|