Версия для печати
Технические характеристики IRFP2907ZPBF

Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	90A
Drain to Source Voltage (Vdss)	75V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.5 mOhm @ 90A, 10V
FET Feature	Standard
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) @ Vgs	270nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	7500pF @ 25V
Power - Max	310W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-247-3 (TO-247AC)
Корпус	TO-247AC

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		IR2117		прямой драйвер 600В 200мА DIP	INTERNATIONAL RECTIFIER	26	132.30
		IR2117		прямой драйвер 600В 200мА DIP			155.12
		IR2117		прямой драйвер 600В 200мА DIP	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IR2117		прямой драйвер 600В 200мА DIP	США
		IR2117		прямой драйвер 600В 200мА DIP	СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
		IR2117		прямой драйвер 600В 200мА DIP	INFINEON
		IR2117		прямой драйвер 600В 200мА DIP	4-7 НЕДЕЛЬ	727
		IR4428PBF		Драйвер нижнего ключа x2. Uвых=6-20В, Iвых=1.5А/1.5А, t(on/off)= 85/65мкс	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IR4428PBF		Драйвер нижнего ключа x2. Uвых=6-20В, Iвых=1.5А/1.5А, t(on/off)= 85/65мкс	INFINEON
		MMBT5551		Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223	FAIR
		MMBT5551		Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223	MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
		MMBT5551		Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223	DIOTEC	61	2.18
		MMBT5551		Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223	FAIRCHILD
		MMBT5551		Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223	FAIRCHILD	2 683
		MMBT5551		Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223	MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
		MMBT5551		Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223	MCC
		MMBT5551		Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223	Fairchild Semiconductor
		MMBT5551		Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223		46 400	1.68  >100 шт.   0.84
		MMBT5551		Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223	КИТАЙ
		MMBT5551		Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223	ONS
		MMBT5551		Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223	GALAXY
		MMBT5551		Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223	YJ	147 036	1.03
		MMBT5551		Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223	FSC
		MMBT5551		Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223	GALAXY ME
		MMBT5551		Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223	HOTTECH	51 348	1.32  >100 шт.   0.66
		MMBT5551		Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223	KLS	16	1.36
		MMBT5551		Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223	SUNTAN
		MMBT5551		Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223	YANGJIE
		MMBT5551		Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223	YANGJIE (YJ)
		MMBT5551		Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223	YOUTAI	29 867	2.25
		MMBT5551		Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223	JSCJ	54 937	1.30  >100 шт.   0.65
		MMBT5551		Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223	HXY	1 664	1.28  >100 шт.   0.64
		MMBT5551		Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223	JSMICRO	65 069	1.16  >100 шт.   0.58
		MMBT5551		Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223	XXW	22 886	1.10  >100 шт.   0.55
		MMBT5551		Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223	KEEN SIDE	8 480	1.38  >500 шт.   0.46
		STGW40N120KD		Igbt-транзистор на 1200 в, 40 а с усиленной защитой от короткого замыкания	ST MICROELECTRONICS
		STGW40N120KD		Igbt-транзистор на 1200 в, 40 а с усиленной защитой от короткого замыкания	STMicroelectronics
		STGW40N120KD		Igbt-транзистор на 1200 в, 40 а с усиленной защитой от короткого замыкания	КИТАЙ
		STGW40N120KD		Igbt-транзистор на 1200 в, 40 а с усиленной защитой от короткого замыкания
		TEC1-12703 (30X30X3.5)		Модуль Пельте 127 элементов, 3А, 25В, 14В, 30*30*3.5мм
		TEC1-12703 (30X30X3.5)		Модуль Пельте 127 элементов, 3А, 25В, 14В, 30*30*3.5мм

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"