IRFB4227
Транзистор N- канальный MOSFET, 190Вт, 200В, 130А
|
Транзистор N- канальный MOSFET |
Версия для печати
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 4600pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 98nC @ 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 65A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 24 mOhm @ 46A, 10V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Power - Max | 330W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-3 |
| Корпус | TO-220AB |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRFB4227PBF (MOSFET) HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
Производитель:
|
