IRFB4115PBF

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС
IRFB4115PBF (INFINEON)	568	81.62
IRFB4115PBF	310	81.06
IRFB4115PBF (INTERNATIONAL RECTIFIER.)	24	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики IRFB4115PBF

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	HEXFET®
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	11 mOhm @ 62A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	150V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	104A
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	120nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	5270pF @ 50V
Power - Max	380W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRFB4115PbF (MOSFET)

150V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package

Производитель:
International Rectifier (IRF)

IRFB4115PBF datasheet
309 Кб

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
B32922-C3334-K, 0.33 МКФ, 305В, 10%, X2		EPCOS
B88069X0880S102		EPCOS
B88069X0880S102
B88069X0880S102		TDK-EPC	3	87.96
EEHZA1K220P		PIE
EEHZA1K220P		PANASONIC
EEHZA1K220P		PAN	4 391	22.20
EEHZA1K220P		PAN IND
EEHZA1K220P
IRFB4227	Транзистор N- канальный MOSFET, 190Вт, 200В, 130А	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRFB4227	Транзистор N- канальный MOSFET, 190Вт, 200В, 130А			580.00
IRFB4227	Транзистор N- канальный MOSFET, 190Вт, 200В, 130А	INFINEON
IRFB7534		INTERNATIONAL RECTIFIER
IRFB7534		INFINEON
IRFB7534