Версия для печати
Технические характеристики IRF830

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.5 Ohm @ 2.7A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	500V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	4.5A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	38nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	610pF @ 25V
Power - Max	74W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB
Серия	PowerMESH™

IRF830 N-channel 500V - 1.35 Ohm - 4.5A - TO-220 Powermesh MOSFET Производитель: STMicroelectronics //www.st.com IRF830 datasheet 265.75Kb 8стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

Аналоги:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		КП753А

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		1N4007			DC COMPONENTS	27 008	1.54
		1N4007			GENERAL SEMICONDUCTOR
		1N4007			LITE ON OPTOELECTRONICS
		1N4007			PANJIT
		1N4007			FSC
		1N4007			MCC
		1N4007			DIC
		1N4007			FAIR
		1N4007			PHILIPS
		1N4007			MIC	274 810	1.47
		1N4007			DIOTEC	112 849	2.82
		1N4007			ON SEMICONDUCTOR
		1N4007			LD
		1N4007			JGD
		1N4007			MING SHUN
		1N4007			MS
		1N4007			QUAN-HONG
		1N4007			XR
		1N4007			GALAXY
		1N4007			COMPACT TECHNOLOGY
		1N4007			DC COMPONENTS
		1N4007			FAIRCHILD	288
		1N4007			GENERAL SEMICONDUCTOR	1
		1N4007			LITE ON OPTOELECTRONICS
		1N4007			MASTER INSTRUMENT CORPORATION
		1N4007			MICRO SEMICONDUCTOR(MICROSEMI)
		1N4007			ON SEMICONDUCTOR
		1N4007			PANJIT	307 692
		1N4007			PHILIPS
		1N4007			TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.
		1N4007			YANGJIE SEMICONDUCT
		1N4007			Fairchild Semiconductor
		1N4007			SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
		1N4007			MICROSEMI CORP
		1N4007			ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		1N4007			GD
		1N4007			JC
		1N4007			KINGTRONICS
		1N4007			YJ	228 457	1.29
		1N4007			DIODES INC.
		1N4007			MIG
		1N4007			MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
		1N4007			MOTOROLA
		1N4007			YJ ELE-NIC CORP
		1N4007			RECTIFIER
		1N4007			EXTRA COM-NTS
		1N4007			GALAXY ELECTRICAL
		1N4007			GEMBIRD
		1N4007			ТОМИЛИНО
		1N4007			EXTRA
		1N4007			КИТАЙ	800	4.54
		1N4007			DIOTEC SEMICONDUCTOR
		1N4007			MD
		1N4007				266 250	1.66  >100 шт.   0.83
		1N4007			ONS-FAIR
		1N4007			ONS
		1N4007			ELZET
		1N4007			GALAXY ME
		1N4007			LGE	44 073	1.03
		1N4007			HOTTECH	537 553	2.32
		1N4007			KLS	96 000	2.07
		1N4007			YS
		1N4007			YANGJIE	8 800	1.56
		1N4007			YANGJIE (YJ)
		1N4007			MC
		1N4007			FAIRCHILD
		1N4007			WUXI XUYANG
		1N4007			KUU
		1N4007			CHINA	14 461	1.09
		1N4007			SUNRISETRON
		1N4007			UNKNOWN
		1N4007			BILIN
		1N4007			KEHE
		1N4007			1
		1N4007			BL
		1N4007			SUNTAN	81 826	1.88
		1N4007			TWGMC	55 780	1.38  >500 шт.   0.46
		1N4007			CTK
		1N4007			JUXING	112	1.91
		1N4007			ASEMI	36 280	1.12
		IRF710		Транзистор полевой N-канальный 400В, 2А	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRF710		Транзистор полевой N-канальный 400В, 2А	FAIR
		IRF710		Транзистор полевой N-канальный 400В, 2А	MITEL
		IRF710		Транзистор полевой N-канальный 400В, 2А	VISHAY
		IRF710		Транзистор полевой N-канальный 400В, 2А			62.72
		IRF710		Транзистор полевой N-канальный 400В, 2А	FAIRCHILD
		IRF710		Транзистор полевой N-канальный 400В, 2А	FAIRCHILD
		IRF710		Транзистор полевой N-канальный 400В, 2А	INTERNATIONAL RECTIFIER	386
		IRF710		Транзистор полевой N-канальный 400В, 2А	MITEL
		IRF710		Транзистор полевой N-канальный 400В, 2А	Vishay/Siliconix
		IRF710		Транзистор полевой N-канальный 400В, 2А	VISHAY/IR
		IRF710		Транзистор полевой N-канальный 400В, 2А	ВЗПП	266	34.02
		UF4007 (1A 1000В)		Диод ультрабыстрый 1000В, 1А, 75нс/500нс	DC COMPONENTS
		UF4007 (1A 1000В)		Диод ультрабыстрый 1000В, 1А, 75нс/500нс
		ГУ-17				70	165.60
		ГУ-17			1
		КТ815Г		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...		1 243	31.28
		КТ815Г		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...	КРЕМНИЙ	868	36.48
		КТ815Г		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...	ТРАНЗИСТОР
		КТ815Г		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...	БРЯНСК	7 265	37.80
		КТ815Г		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...	МИНСК	3 378	37.80
		КТ815Г		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...	ЗПП МИНСК
		КТ815Г		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...	ГАММА ЗАПОРОЖЬЕ
		КТ815Г		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...	RUS
		КТ815Г		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...	ИНТЕГРАЛ

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"