|
|
Версия для печати
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 36nC @ 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 4.7A, 3.4A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50 mOhm @ 4.7A, 10V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | N and P-Channel |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 740pF @ 25V |
| Power - Max | 2W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SO |
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 0.125ВТ 0805 100 КОМ, 1% | ТАЙВАНЬ |
|
|
|||||
|
|
|
IRF7307TRPBF |
|
N-канальный и P-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=5.2A/4.3A, Rds=0.05/0.09 R, ... | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
IRF7307TRPBF |
|
N-канальный и P-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=5.2A/4.3A, Rds=0.05/0.09 R, ... | INTERNATIONAL RECTIFIER | 25 |
|
|
|
|
|
IRF7307TRPBF |
|
N-канальный и P-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=5.2A/4.3A, Rds=0.05/0.09 R, ... |
|
|
||
|
|
|
IRF7307TRPBF |
|
N-канальный и P-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=5.2A/4.3A, Rds=0.05/0.09 R, ... | INFINEON | 76 | 54.45 | |
| LM5110-1M/NOPB | NSC |
|
|
|||||
| LM5110-1M/NOPB | National Semiconductor |
|
|
|||||
| LM5110-1M/NOPB | NATIONAL SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| LM5110-1M/NOPB | TEXAS |
|
|
|||||
| LM5110-1M/NOPB |
|
|
||||||
|
|
|
LM5110-2M/NOPB |
|
National Semiconductor |
|
|
||
|
|
|
LM5110-2M/NOPB |
|
TEXAS |
|
|
||
|
|
|
LM5110-2M/NOPB |
|
|
|
|||
| RC0603FR-0727K4L | PHYCOMP |
|
|
|||||
| RC0603FR-0727K4L | YAGEO | 150 408 |
1.00 >1000 шт. 0.20 |
|||||
| RC0603FR-0727K4L | PHYCOMP |
|
|
|||||
| RC0603FR-0727K4L | YAGEO |
|
|
|||||
| RC0603FR-0727K4L |
|
|