IRF7343TRPBF
|
|
Версия для печати
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 36nC @ 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 4.7A, 3.4A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50 mOhm @ 4.7A, 10V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | N and P-Channel |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 740pF @ 25V |
| Power - Max | 2W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SO |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 0.125ВТ 0805 1.3 КОМ, 1% | ТАЙВАНЬ |
|
|
|||||
 |
 |
BC847B,215 |
|
NXP Semiconductors |
|
|
||
|
|
|
BC847B,215 |
|
NXP |
|
|
||
|
|
|
BC847B,215 |
|
NEX | 74 713 | 1.82 | ||
|
|
|
BC847B,215 |
|
40 004 |
1.46 >100 шт. 0.73 |
|||
|
|
|
BC847B,215 |
|
NEXPERIA |
|
|
||
|
|
|
BC847B,215 |
|
NXP/NEXPERIA | 1 | 1.26 | ||
|
|
|
BC847B,215 |
|
NEX-NXP | 77 600 | 2.07 | ||
|
|
|
BC847B,215 |
|
NEXPERIA | 1 | 3.10 | ||
| BSS139H6327 | INFINEON |
|
|
|||||
| BSS139H6327 |
|
|
||||||
| HYR-1141 (GSA-1141) | NEW CENTRESS |
|
|
|||||
| HYR-1141 (GSA-1141) |
|
|
||||||
 |
|
КП508А |
|
Кремниевые полевые P-канальные транзисторы средней мощности с изолированным затвором и ... | 332 | 59.22 | ||
|
|
|
КП508А |
|
Кремниевые полевые P-канальные транзисторы средней мощности с изолированным затвором и ... | МИНСК | 1 553 | 33.60 | |
|
|
|
КП508А |
|
Кремниевые полевые P-канальные транзисторы средней мощности с изолированным затвором и ... | ИНТЕГРАЛ |
|
|
