IRF3710PBF


Силовой МОП-Транзистор N-канальный Vси = 100 В, Rоткр = 0.025 Ом, Id(25°C) = 57A

Купить IRF3710PBF по цене 38.82 руб.  (без НДС 20%)
IRF3710PBF
Название (производитель) Доступно для заказа Цена, руб.,без НДС Купить
IRF3710PBF 760 38.82 

Версия для печати

Технические характеристики IRF3710PBF

Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C57A
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Rds On (Max) @ Id, Vgs23 mOhm @ 28A, 10V
FET FeatureStandard
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
СерияHEXFET®
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) @ Vgs130nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds3130pF @ 25V
Power - Max200W
Тип монтажаВыводной
Корпус (размер)TO-220-3
КорпусTO-220AB
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

    Наименование   Описание Производитель Количество Цена, руб. Купить
FGH40N60SFDTU Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop     448 207.02 
FGH40N60SFDTU Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop   Fairchild Semiconductor Заказ радиодеталей цена радиодетали
FGH40N60SFDTU Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop   FAIR Заказ радиодеталей цена радиодетали
FGH40N60SFDTU Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop   FAIRCHILD Заказ радиодеталей цена радиодетали
FGH40N60SFDTU Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop   FSC Заказ радиодеталей цена радиодетали
FGH40N60SFDTU Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop   FAIRCHILD 483 382.73 
FGH40N60SFDTU Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop   ONS-FAIR Заказ радиодеталей цена радиодетали
FGH40N60SFDTU Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop   ONS 2 386.68 
FGH40N60SFDTU Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop   ON SEMICONDUCTOR Заказ радиодеталей цена радиодетали
FGH40N60SFDTU Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop   ONSEMICONDUCTOR Заказ радиодеталей цена радиодетали
FGH40N60SFDTU Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop   RUME 1 128 148.91 
IRF3205 Транзистор полевой N-канальный (Vds=55V, Id=110A@T=25C, Id=80A@T=100C, Rds=0.008 ...   INTERNATIONAL RECTIFIER Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRF3205 Транзистор полевой N-канальный (Vds=55V, Id=110A@T=25C, Id=80A@T=100C, Rds=0.008 ...     8 74.40 
IRF3205 Транзистор полевой N-канальный (Vds=55V, Id=110A@T=25C, Id=80A@T=100C, Rds=0.008 ...   ФИЛИППИНЫ Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRF3205 Транзистор полевой N-канальный (Vds=55V, Id=110A@T=25C, Id=80A@T=100C, Rds=0.008 ...   INFINEON Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRF3205 Транзистор полевой N-канальный (Vds=55V, Id=110A@T=25C, Id=80A@T=100C, Rds=0.008 ...   1 Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRF3205 Транзистор полевой N-канальный (Vds=55V, Id=110A@T=25C, Id=80A@T=100C, Rds=0.008 ...   YOUTAI Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRF3205 Транзистор полевой N-канальный (Vds=55V, Id=110A@T=25C, Id=80A@T=100C, Rds=0.008 ...   JSMICRO 902 46.57 
IRFBE30 N-канальный Полевой транзистор (Vds=800V, Id=4.1A@T=25C, Id=2.6A@T=100C, Rds=3.0 R, ...   INTERNATIONAL RECTIFIER Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRFBE30 N-канальный Полевой транзистор (Vds=800V, Id=4.1A@T=25C, Id=2.6A@T=100C, Rds=3.0 R, ...   VISHAY 484 88.61 
IRFBE30 N-канальный Полевой транзистор (Vds=800V, Id=4.1A@T=25C, Id=2.6A@T=100C, Rds=3.0 R, ...     6 151.20 
IRFBE30 N-канальный Полевой транзистор (Vds=800V, Id=4.1A@T=25C, Id=2.6A@T=100C, Rds=3.0 R, ...   Vishay/Siliconix Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRFBE30 N-канальный Полевой транзистор (Vds=800V, Id=4.1A@T=25C, Id=2.6A@T=100C, Rds=3.0 R, ...   INTERNATIONAL RECTIFIER Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRFBE30 N-канальный Полевой транзистор (Vds=800V, Id=4.1A@T=25C, Id=2.6A@T=100C, Rds=3.0 R, ...   КИТАЙ Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRFBE30 N-канальный Полевой транзистор (Vds=800V, Id=4.1A@T=25C, Id=2.6A@T=100C, Rds=3.0 R, ...   1 Заказ радиодеталей цена радиодетали
L-132XGT Единичный светодиод 3мм матовый, зеленый 40mcd, 568nm, 50°   KB Заказ радиодеталей цена радиодетали
L-132XGT Единичный светодиод 3мм матовый, зеленый 40mcd, 568nm, 50°   KINGBRIGHT 10 12.76 
L-132XGT Единичный светодиод 3мм матовый, зеленый 40mcd, 568nm, 50°     Заказ радиодеталей 6.40 
L-132XGT Единичный светодиод 3мм матовый, зеленый 40mcd, 568nm, 50°   KGB 15 767 10.84 
L-132XGT Единичный светодиод 3мм матовый, зеленый 40mcd, 568nm, 50°   КИТАЙ Заказ радиодеталей цена радиодетали
КТ3107А Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...     1 568 8.10 
КТ3107А Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...   КРЕМНИЙ 404 12.49 
КТ3107А Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...   СВЕТЛАНА Заказ радиодеталей цена радиодетали
КТ3107А Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...   МИНСК Заказ радиодеталей цена радиодетали
КТ3107А Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...   РИГА Заказ радиодеталей цена радиодетали
КТ3107А Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...   БРЯНСК 4 788 11.53 
КТ3107А Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...   RUS Заказ радиодеталей цена радиодетали
КТ3107А Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...   ИНТЕГРАЛ Заказ радиодеталей цена радиодетали
КТ3107А Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...   6666 Заказ радиодеталей цена радиодетали
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход