STTH2002CT
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 10A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 10µA @ 200V |
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 15A |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 27ns |
| Diode Type | Standard |
| Скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Diode Configuration | 1 Pair Common Cathode |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-3 |
| Корпус | TO-220AB |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 120МКФ 400 (22X30)105°C |
|
|
||||||
| ECAP 22/400V 1325 SK |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 22 мкФ 400 В | YAGEO |
|
|
|||
 |
 |
IRGP50B60PD1 |
|
Транзистор IGBT модуль единичный Nканал + диод 600В, 75А, 150 кГц | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
IRGP50B60PD1 |
|
Транзистор IGBT модуль единичный Nканал + диод 600В, 75А, 150 кГц |
|
1 133.24 | ||
|
|
|
IRGP50B60PD1 |
|
Транзистор IGBT модуль единичный Nканал + диод 600В, 75А, 150 кГц | МЕКСИКА |
|
|
|
|
|
|
IRGP50B60PD1 |
|
Транзистор IGBT модуль единичный Nканал + диод 600В, 75А, 150 кГц | INFINEON |
|
|
|
|
|
|
IRGP50B60PD1 |
|
Транзистор IGBT модуль единичный Nканал + диод 600В, 75А, 150 кГц | IR/VISHAY | 16 | 1 200.48 | |
| KNP 2W 0.3 5% | YAGEO |
|
|
|||||
| KNP 2W 0.3 5% | ТАЙВАНЬ (КИТАЙ) |
|
|
|||||
| KNP 2W 0.3 5% | ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) |
|
|
|||||
| ДПМ-2.4-5 |
|
13.44 |
