| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
PC817C |
|
Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц
|
SHARP
|
8 891
|
6.20
|
|
|
|
|
PC817C |
|
Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц
|
|
4 164
|
2.62
|
|
|
|
|
PC817C |
|
Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
PC817C |
|
Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц
|
EVL
|
|
|
|
|
|
|
PC817C |
|
Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц
|
SHARPLCD
|
|
|
|
|
|
|
PC817C |
|
Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц
|
MICRONE
|
7 737
|
3.76
|
|
|
|
|
PC817C |
|
Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц
|
EVERLLIGHT
|
|
|
|
|
|
|
PC817C |
|
Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц
|
CHE
|
|
|
|
|
|
|
PC817C |
|
Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц
|
YOUTAI
|
9 197
|
2.59
|
|
|
|
|
PC817C |
|
Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц
|
UMW-YOUTAI
|
|
|
|
|
|
|
PC817C |
|
Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц
|
SLKOR
|
11 012
|
2.61
|
|
|
|
|
PC817C |
|
Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
336
|
|
|
|
|
|
R1206-390 ОМ-5% |
|
|
|
3 914
|
1.85
|
|
|
|
|
R1206-5,1 КОМ-5% |
|
|
|
3 780
|
1.85
|
|
|
|
|
КР1171СП28 |
|
|
|
17
|
8.74
|
|
|
|
|
КР1171СП28 |
|
|
ДАЛЕКС
|
639
|
154.57
|
|
|
|
|
КР1171СП28 |
|
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
1 176
|
109.20
|
|
|
|
|
КР1171СП28 |
|
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КР1171СП28 |
|
|
АЛЕКСАНДПОВ
|
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
|
|
20.40
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
МИНСК
|
6 740
|
37.80
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ТРАНЗИСТОР МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ЗПП МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ИНТЕГРАЛ-С
|
|
|
|
Версия для печати
