| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
27C64A-15FA |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
27C64A-15FA |
|
|
SIGNETICS
|
|
|
|
|
|
|
27C64A-15FA |
|
|
SIGNETICS PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
27C64A-15FA |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
27C64A-15FA |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
125
|
|
|
|
|
|
2KBP08 |
|
Диодный мост 2A 800V
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
2KBP08 |
|
Диодный мост 2A 800V
|
INVAC ASSOCIATED COMPANIES
|
|
|
|
|
|
|
2KBP08 |
|
Диодный мост 2A 800V
|
EIC
|
324
|
22.72
|
|
|
|
|
2KBP08 |
|
Диодный мост 2A 800V
|
|
|
|
|
|
|
|
2KBP08 |
|
Диодный мост 2A 800V
|
INVAC ASSOCIATED COMPANIES
|
|
|
|
|
|
PIC16F876A-I/SP |
|
8Kx14 Flash 22I/O, 20MHz, EEPROM Size:256Byte, Memory Size, RAM:368Byte
|
MICRO CHIP
|
14
|
1 136.52
|
|
|
|
PIC16F876A-I/SP |
|
8Kx14 Flash 22I/O, 20MHz, EEPROM Size:256Byte, Memory Size, RAM:368Byte
|
|
|
429.16
|
|
|
|
PIC16F876A-I/SP |
|
8Kx14 Flash 22I/O, 20MHz, EEPROM Size:256Byte, Memory Size, RAM:368Byte
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
PIC16F876A-I/SP |
|
8Kx14 Flash 22I/O, 20MHz, EEPROM Size:256Byte, Memory Size, RAM:368Byte
|
Microchip Technology
|
|
|
|
|
|
PIC16F876A-I/SP |
|
8Kx14 Flash 22I/O, 20MHz, EEPROM Size:256Byte, Memory Size, RAM:368Byte
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
PIC16F876A-I/SP |
|
8Kx14 Flash 22I/O, 20MHz, EEPROM Size:256Byte, Memory Size, RAM:368Byte
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
PIC16F876A-I/SP |
|
8Kx14 Flash 22I/O, 20MHz, EEPROM Size:256Byte, Memory Size, RAM:368Byte
|
MCHIP
|
|
|
|
|
|
PIC16F876A-I/SP |
|
8Kx14 Flash 22I/O, 20MHz, EEPROM Size:256Byte, Memory Size, RAM:368Byte
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
536
|
|
|
|
|
DS-04 (SWD1-4) |
|
Переключатель 24В, 50мА, Dip, 4 конт. группы
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
DS-04 (SWD1-4) |
|
Переключатель 24В, 50мА, Dip, 4 конт. группы
|
|
|
|
|
|
|
DS-04 (SWD1-4) |
|
Переключатель 24В, 50мА, Dip, 4 конт. группы
|
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
|
|
20.40
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
МИНСК
|
7 367
|
38.16
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ТРАНЗИСТОР МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ЗПП МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ИНТЕГРАЛ-С
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
1154
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
2000
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
2276
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
2380
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
3398
|
|
|
|