BAS316,115

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС
BAS316,115 (NEXPERIA.)	24 000	3-4 недели Цена по запросу
BAS316,115 (NXP/NEXPERIA)	15	7.88
BAS316,115 (NEX-NXP)	21 600	4.13

Версия для печати

Технические характеристики BAS316,115

Current - Reverse Leakage @ Vr	500nA @ 80V
Current - Average Rectified (Io)	250mA (DC)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	100V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1.25V @ 150mA
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Diode Type	Standard
Скорость	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)	4ns
Capacitance @ Vr, F	1.5pF @ 0V, 1MHz
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	SC-76, SOD-323
Корпус	SOD-323

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
2SC3356	Биполярный транзистор NPN 20V, 0.1A, 0,2W, 7000MHz	NEC
2SC3356	Биполярный транзистор NPN 20V, 0.1A, 0,2W, 7000MHz		10 829	2.33
2SC3356	Биполярный транзистор NPN 20V, 0.1A, 0,2W, 7000MHz	UNKNOWN
2SC3356	Биполярный транзистор NPN 20V, 0.1A, 0,2W, 7000MHz	ISC
2SC3356	Биполярный транзистор NPN 20V, 0.1A, 0,2W, 7000MHz	ISCSEMI
2SC3356	Биполярный транзистор NPN 20V, 0.1A, 0,2W, 7000MHz	TECH PUB	44 687	3.84
2SC3357	Биполярный транзистор 12В, 100мА, 1,2Вт	NEC
2SC3357	Биполярный транзистор 12В, 100мА, 1,2Вт			62.64
2SC3357	Биполярный транзистор 12В, 100мА, 1,2Вт	ISC	1	23.07
2SC3357	Биполярный транзистор 12В, 100мА, 1,2Вт	КИТАЙ
2SC3357	Биполярный транзистор 12В, 100мА, 1,2Вт	ISCSEMI
2SC3357	Биполярный транзистор 12В, 100мА, 1,2Вт	ICS COMPONENTS	144	27.53
2SC3357	Биполярный транзистор 12В, 100мА, 1,2Вт	TECH PUB	1 008	7.96
BB135	Варикап SOD323	PHILIPS
BB135	Варикап SOD323	NXP
BB135	Варикап SOD323			16.00
BB135	Варикап SOD323	PHILIPS
BB135	Варикап SOD323	PHILIPS SEMIC
BB135	Варикап SOD323	NXP
BB135	Варикап SOD323	1
BB833/E6327
TO-2106BC-MGD		OASISTEK	5 909	6.97
TO-2106BC-MGD