2N6491
Мощный транзистор PNP 80V, 15A, 75W, B:20-150
|
2N6491G "G" = не содержит свинец |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Transistor Type | PNP |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 15A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 3.5V @ 5A, 15A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 5A, 4V |
| Power - Max | 1.8W |
| Frequency - Transition | 5MHz |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-3 |
| Корпус | TO-220AB |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
Мощный транзистор PNP 80V, 15A, 75W, B:20-150
|
Аналоги:
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 0.022UF/50V X7R |
|
|
||||||
| 0.22UF,Y5V,+80-20%(Z),0805,50V | ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) |
|
|
|||||
| 2N6488 |
|
Транзистор NPN 80V 15A 75W B:20-150 |
|
104.00 | ||||
| 2N6488 |
|
Транзистор NPN 80V 15A 75W B:20-150 | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||
| 3296X-1-503 |
|
Подстроечный резистор 50K | BARONS |
|
|
|||
| 3296X-1-503 |
|
Подстроечный резистор 50K | BOURNS |
|
|
|||
| 3296X-1-503 |
|
Подстроечный резистор 50K |
|
20.80 | ||||
| 3296X-1-503 |
|
Подстроечный резистор 50K | Bourns Inc |
|
|
|||
| 3296X-1-503 |
|
Подстроечный резистор 50K | КИТАЙ |
|
|
|||
| 3296X-1-503 |
|
Подстроечный резистор 50K | BOCHEN | 1 749 | 9.67 | |||
| KNP 5W 0.2 1% | 29 | 36.30 | ||||||
| KNP 5W 0.2 1% | YAGEO |
|
|
|||||
| KNP 5W 0.2 1% | ТАЙВАНЬ (КИТАЙ) |
|
|
|||||
| KNP 5W 0.2 1% | ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) |
|
|
