Версия для печати
Технические характеристики 22201C475KAT2A

Производитель	AVX CORP.
Допуск емкости	±10%
Номинальное постоянное напряжение	100 В
Тип диэлектрика	X7R
Температурный коэфициент	X7R
Рабочая температура	-55...125 °C
Размер	5.7x5.0x2.0
Номинальное напряжение	100 В
Емкость	4.7 мкФ
Корпус (размер)	2220
Тип монтажа	Поверхностный
Тип	Керамический

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Конденсаторы

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2N7002LT1G		Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)	ON SEMICONDUCTOR	134 240	1.86
		2N7002LT1G		Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)			4.00
		2N7002LT1G		Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)	ONS	23	4.90
		2N7002LT1G		Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)	ON SEMICONDUCTOR	2 533
		2N7002LT1G		Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)	ON SEMIC
		2N7002LT1G		Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)	ON SEMICONDUCTO
		2N7002LT1G		Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)	ONSEMICONDUCTOR
		2N7002LT1G		Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)	ONS-FAIR
		2N7002LT1G		Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)	LRC
		2N7002LT1G		Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)	VBSEMI	4 892	6.26
		2N7002LT1G		Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)	ONSEMI	128	1.55
		2N7002LT1G		Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)	167800
		2N7002LT1G		Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)	161
		BSS84LT1G		Транзистор МОП р-канальный 50V 130mA 225
		BSS84LT1G		Транзистор МОП р-канальный 50V 130mA 225	ON SEMICONDUCTOR
		BSS84LT1G		Транзистор МОП р-канальный 50V 130mA 225	ONS	1	7.45
		BSS84LT1G		Транзистор МОП р-канальный 50V 130mA 225	ON SEMICONDUCTOR	1 428
		BSS84LT1G		Транзистор МОП р-канальный 50V 130mA 225	LRC
		В 89 45- 55 ГЦ ~220 В 1.0				6	2 268.00
		КУ202Н1		Тиристор кремниевый планарно-диффузионный, структуры p-n-p-n,триодный, незапираемый		2	75.60
		КУ202Н1		Тиристор кремниевый планарно-диффузионный, структуры p-n-p-n,триодный, незапираемый	ГАММА ЗАПОРОЖЬЕ
		КУ202Н1		Тиристор кремниевый планарно-диффузионный, структуры p-n-p-n,триодный, незапираемый	П/П 2
		КУ202Н1		Тиристор кремниевый планарно-диффузионный, структуры p-n-p-n,триодный, незапираемый	СТАРТ
		КУ202Н1		Тиристор кремниевый планарно-диффузионный, структуры p-n-p-n,триодный, незапираемый	СЗТП	80	160.06
		КУ202Н1		Тиристор кремниевый планарно-диффузионный, структуры p-n-p-n,триодный, незапираемый	RUS
		КУ202Н1		Тиристор кремниевый планарно-диффузионный, структуры p-n-p-n,триодный, незапираемый	РОССИЯ
		КУ202Н1		Тиристор кремниевый планарно-диффузионный, структуры p-n-p-n,триодный, незапираемый	САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
		Э8030 0-250 В ~2.5

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"