LM431BIM3

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
LM431BIM3 (NATIONAL SEMICONDUCTOR.)	556	3-4 недели Цена по запросу
LM431BIM3 (4-7 НЕДЕЛЬ)	40	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики LM431BIM3

Корпус	SOT-23-3
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Тип монтажа	Поверхностный
Рабочая температура	-40°C ~ 85°C
Ток выходной	100mA
Ток катод	1mA
Количество каналов	1
Температурный коэфициент	54ppm/°C
Допустимые отклонения емкости	±1%
Напряжение выходное	2.495 V ~ 37 V
Reference Type	Shunt, Adjustable, Precision
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Tolerance	±1%

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

LM431ACM (Шунтирующие источники тока)

Adjustable Precision Zener Shunt Regulator

Также в этом файле: LM431BIM3, LM431BIM3N1C

Производитель:
National Semiconductor
//www.national.com

LM431BIM3 datasheet
383.41Kb
12стр.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
2N7002LT1G	Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)	ON SEMICONDUCTOR	7 200	3.19
2N7002LT1G	Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)			4.00
2N7002LT1G	Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)	ONS	40 658	3.78
2N7002LT1G	Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)	ON SEMICONDUCTOR	2 533
2N7002LT1G	Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)	ON SEMIC
2N7002LT1G	Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)	ON SEMICONDUCTO
2N7002LT1G	Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)	ONSEMICONDUCTOR
2N7002LT1G	Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)	ONS-FAIR
2N7002LT1G	Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)	LRC
2N7002LT1G	Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)	VBSEMI	4 796	3.68
2РМ14БПН4Г1В1 5 85-89Г
BSS84LT1G	Транзистор МОП р-канальный 50V 130mA 225
BSS84LT1G	Транзистор МОП р-канальный 50V 130mA 225	ON SEMICONDUCTOR
BSS84LT1G	Транзистор МОП р-канальный 50V 130mA 225	ONS	1 849	6.82
BSS84LT1G	Транзистор МОП р-канальный 50V 130mA 225	ON SEMICONDUCTOR	1 428
BSS84LT1G	Транзистор МОП р-канальный 50V 130mA 225	LRC
ECAPSMD 220/35V 1010 105C CK	Электролитические конденсатор для SMD монтажа 220мкФ, 35В, 105С	SAMWHA
КУ202Н1	Тиристор кремниевый планарно-диффузионный, структуры p-n-p-n,триодный, незапираемый		3	55.50
КУ202Н1	Тиристор кремниевый планарно-диффузионный, структуры p-n-p-n,триодный, незапираемый	ГАММА ЗАПОРОЖЬЕ
КУ202Н1	Тиристор кремниевый планарно-диффузионный, структуры p-n-p-n,триодный, незапираемый	П/П 2
КУ202Н1	Тиристор кремниевый планарно-диффузионный, структуры p-n-p-n,триодный, незапираемый	СТАРТ
КУ202Н1	Тиристор кремниевый планарно-диффузионный, структуры p-n-p-n,триодный, незапираемый	СЗТП	88	147.42
КУ202Н1	Тиристор кремниевый планарно-диффузионный, структуры p-n-p-n,триодный, незапираемый	RUS
КУ202Н1	Тиристор кремниевый планарно-диффузионный, структуры p-n-p-n,триодный, незапираемый	РОССИЯ
КУ202Н1	Тиристор кремниевый планарно-диффузионный, структуры p-n-p-n,триодный, незапираемый	САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО

LM431BIM3

КАТАЛОГ

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

Микросхемы

Питание

Опорные источники

С этим товаром покупают: