Версия для печати
Технические характеристики UA741CD

Корпус	8-SOIC
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Тип монтажа	Поверхностный
Рабочая температура	0°C ~ 70°C
Напряжение-выходное, Single/Dual (±)	7 V ~ 36 V, ±3.5 V ~ 18 V
Ток выходной	1.7mA
Ток выходной / канал	25mA
Напряжение входного смещения	1000µV
Ток - входного смещения	80nA
Полоса пропускания	1MHz
Скорость нарастания выходного напряжения	0.5 V/µs
Число каналов	1
Тип усилителя	General Purpose
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant

ВµA741C (Усилители) General purpose operational amplifier Также в этом файле: ВµA741CD Производитель: Philips Semiconductors //www.semiconductors.philips.com UA741CD datasheet 106.96Kb 7стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Обработка сигналов

 » 

Усилители

 » 

Операционные, буферные усилители

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		10МКФ 35 (4X7)105°C
		24LC1025-I/SM		ИМС EEPROM I2C	MICRO CHIP
		24LC1025-I/SM		ИМС EEPROM I2C			417.20
		24LC1025-I/SM		ИМС EEPROM I2C	MICRO CHIP	40
		24LC1025-I/SM		ИМС EEPROM I2C	Microchip Technology
		BC847		маломощные N-P-N транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта")(Uce=45V, ...	PHILIPS
		BC847		маломощные N-P-N транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта")(Uce=45V, ...	NXP	800	6.63
		BC847		маломощные N-P-N транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта")(Uce=45V, ...
		BC847		маломощные N-P-N транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта")(Uce=45V, ...	PHILIPS
		BC847		маломощные N-P-N транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта")(Uce=45V, ...	NXP	3 073
		BC847		маломощные N-P-N транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта")(Uce=45V, ...	CDIL
		BC847		маломощные N-P-N транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта")(Uce=45V, ...	SHIKUES	9 132	1.08
		BC847		маломощные N-P-N транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта")(Uce=45V, ...	JSCJ	1 103 602	1.22
		BD242C		Транзистор биполярный большой мощности PNP 100V 3A 40W B>10	ST MICROELECTRONICS
		BD242C		Транзистор биполярный большой мощности PNP 100V 3A 40W B>10	MOTOROLA
		BD242C		Транзистор биполярный большой мощности PNP 100V 3A 40W B>10	ON SEMICONDUCTOR
		BD242C		Транзистор биполярный большой мощности PNP 100V 3A 40W B>10	POWER INNOVATIONS
		BD242C		Транзистор биполярный большой мощности PNP 100V 3A 40W B>10	FAIR
		BD242C		Транзистор биполярный большой мощности PNP 100V 3A 40W B>10	FAIRCHILD
		BD242C		Транзистор биполярный большой мощности PNP 100V 3A 40W B>10	FAIRCHILD
		BD242C		Транзистор биполярный большой мощности PNP 100V 3A 40W B>10	ON SEMICONDUCTOR
		BD242C		Транзистор биполярный большой мощности PNP 100V 3A 40W B>10	POWER INNOVATIONS
		BD242C		Транзистор биполярный большой мощности PNP 100V 3A 40W B>10	Fairchild Semiconductor
		BD242C		Транзистор биполярный большой мощности PNP 100V 3A 40W B>10	ST MICROELECTRONICS SEMI
		BD242C		Транзистор биполярный большой мощности PNP 100V 3A 40W B>10	ISCSEMI
		BD242C		Транзистор биполярный большой мощности PNP 100V 3A 40W B>10			35.68
		LM317D2T		Микросхема регулятор напряжения 1.2-37V	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		LM317D2T		Микросхема регулятор напряжения 1.2-37V	ST MICROELECTRONICS	80	79.05
		LM317D2T		Микросхема регулятор напряжения 1.2-37V	ON SEMICONDUCTOR	52	79.05
		LM317D2T		Микросхема регулятор напряжения 1.2-37V		6	48.00
		LM317D2T		Микросхема регулятор напряжения 1.2-37V	ON SEMICONDUCTOR
		LM317D2T		Микросхема регулятор напряжения 1.2-37V	ST MICROELECTRONICS SEMI	37

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"