|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2SA1370 |
|
Биполярный транзистор PNP 200V, 0.1A, 1W, 150MHz
|
SANYO
|
|
|
|
|
|
2SA1370 |
|
Биполярный транзистор PNP 200V, 0.1A, 1W, 150MHz
|
|
18
|
28.80
|
|
|
|
2SA1370 |
|
Биполярный транзистор PNP 200V, 0.1A, 1W, 150MHz
|
SAN
|
|
|
|
|
|
2SA1370 |
|
Биполярный транзистор PNP 200V, 0.1A, 1W, 150MHz
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
2SC3467 |
|
Биполярный транзистор NPN (200V, 0.1A, 1W, 150MHz)
|
SANYO
|
|
|
|
|
|
2SC3467 |
|
Биполярный транзистор NPN (200V, 0.1A, 1W, 150MHz)
|
|
|
37.16
|
|
|
|
2SC3467 |
|
Биполярный транзистор NPN (200V, 0.1A, 1W, 150MHz)
|
SAN
|
|
|
|
|
|
2SC3467 |
|
Биполярный транзистор NPN (200V, 0.1A, 1W, 150MHz)
|
СИНГАПУР
|
|
|
|
|
|
2SC5609 |
|
|
HITACHI
|
|
|
|
|
|
2SC5609 |
|
|
HIT
|
|
|
|
|
|
2SC5609 |
|
|
|
5
|
91.20
|
|
|
|
IRG4PF50W |
|
Транзистор IGBT модуль единичный 900V, 28A, 200W (WARP 60-150kHz
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRG4PF50W |
|
Транзистор IGBT модуль единичный 900V, 28A, 200W (WARP 60-150kHz
|
|
|
377.52
|
|
|
|
IRG4PF50W |
|
Транзистор IGBT модуль единичный 900V, 28A, 200W (WARP 60-150kHz
|
МЕКСИКА
|
|
|
|
|
|
IRG4PF50W |
|
Транзистор IGBT модуль единичный 900V, 28A, 200W (WARP 60-150kHz
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
MJE13001 |
|
Транзистор структуры NPN, 600В,
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MJE13001 |
|
Транзистор структуры NPN, 600В,
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
MJE13001 |
|
Транзистор структуры NPN, 600В,
|
|
|
16.80
|
|
|
|
MJE13001 |
|
Транзистор структуры NPN, 600В,
|
UTC
|
|
|
|
|
|
MJE13001 |
|
Транзистор структуры NPN, 600В,
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
MJE13001 |
|
Транзистор структуры NPN, 600В,
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
MJE13001 |
|
Транзистор структуры NPN, 600В,
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
MJE13001 |
|
Транзистор структуры NPN, 600В,
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
MJE13001 |
|
Транзистор структуры NPN, 600В,
|
FSC
|
|
|
|
|
|
MJE13001 |
|
Транзистор структуры NPN, 600В,
|
ONS
|
|
|
|