IRF8313TRPBF

Версия для печати

Технические характеристики IRF8313TRPBF

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	HEXFET®
FET Type	2 N-Channel (Dual)
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	15.5 mOhm @ 9.7A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	9.7A
Vgs(th) (Max) @ Id	2.35V @ 25µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	9nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	760pF @ 15V
Power - Max	2W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SO

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
ADG409BRUZ		ANALOG DEVICES
ADG409BRUZ				1 200.00
ADG409BRUZ		Analog Devices Inc
ADG409BRUZ		ANALOG
ADG409BRUZ		4-7 НЕДЕЛЬ	375
ADG409BRUZ		ADI
BFT92	СВЧ 5ГГц 15В/ 25mA/0.3Вт	INFINEON
BFT92	СВЧ 5ГГц 15В/ 25mA/0.3Вт	NXP
BFT92	СВЧ 5ГГц 15В/ 25mA/0.3Вт	PHILIPS
BFT92	СВЧ 5ГГц 15В/ 25mA/0.3Вт			37.44
BFT92	СВЧ 5ГГц 15В/ 25mA/0.3Вт	NXP
BFT92	СВЧ 5ГГц 15В/ 25mA/0.3Вт	PHILIPS
BFT92	СВЧ 5ГГц 15В/ 25mA/0.3Вт	КИТАЙ
BU2032-1-HD-G		MPD (Memory Protection Devices)
BU2032-1-HD-G		MEMORY PROTECTION DEVICES
BU2032-1-HD-G
LM2731YMF		NATIONAL SEMICONDUCTOR
LM2731YMF			144	219.48
LM2731YMF		NSC	3	86.28
LM2731YMF		NATIONAL SEMICONDUCTOR
LM2731YMF		МАЛАЙЗИЯ
LM2731YMF		TEXAS INSTRUMENTS
LM2731YMF		TEXAS
LM2731YMF		4-7 НЕДЕЛЬ	445
MMBT3904WT1G		ON SEMICONDUCTOR
MMBT3904WT1G		ON SEMICONDUCTOR	19 970
MMBT3904WT1G		ONS
MMBT3904WT1G