DG141V-2.54-03P-14-00AH

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
DG141V-2.54-08P-14-00AH		DEGSON ELECTRONICS
DG141V-2.54-08P-14-00AH
TDA2030L-TB5-T		UTC	11 931	21.70
TDA2030L-TB5-T			266	75.60
TDA2030L-TB5-T		1
КР1533ТМ8	(SN74ALS175N)		1 290	37.00
КР1533ТМ8	(SN74ALS175N)	ЗПП
КР1533ТМ8	(SN74ALS175N)	МИНСК
КР1533ТМ8	(SN74ALS175N)	ЗПП МИНСК
КР1533ТМ8	(SN74ALS175N)	ИНТЕГРАЛ	880	53.09
КР1533ТМ8	(SN74ALS175N)	RUS
КР574УД2А	Сдвоенный операционный усилитель средней точности с большим входным сопротивлением, ...		1	44.40
КР574УД2А	Сдвоенный операционный усилитель средней точности с большим входным сопротивлением, ...	МИКРО-М	26	61.48
КР574УД2А	Сдвоенный операционный усилитель средней точности с большим входным сопротивлением, ...	ТОНДИ	1 600	63.24
КР574УД2А	Сдвоенный операционный усилитель средней точности с большим входным сопротивлением, ...	RUS
КР574УД2А	Сдвоенный операционный усилитель средней точности с большим входным сопротивлением, ...	МИКРОМ
КР574УД2А	Сдвоенный операционный усилитель средней точности с большим входным сопротивлением, ...	ТЭЗ
КР574УД2А	Сдвоенный операционный усилитель средней точности с большим входным сопротивлением, ...	38
КТ3117А1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный		667	11.96
КТ3117А1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	ЗПП
КТ3117А1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	МИНСК	6 152	16.96
КТ3117А1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	ЗПП МИНСК
КТ3117А1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	ИНТЕГРАЛ
КТ3117А1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	БРЯНСК
КТ3117А1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	ИНТЕГРАЛ-С
КТ3117А1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	RUS
КТ3117А1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	КРЕМНИЙ	800	12.49
КТ3117А1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	ТРАНЗИСТОР	3 200	49.59
КТ3117А1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	1404
КТ3117А1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	348
КТ3117А1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	570
КТ3117А1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	6000