RHRP15120
|
|
Версия для печати
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 100µA @ 1200V |
| Current - Average Rectified (Io) | 15A |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V (1.2kV) |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 3.2V @ 15A |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Diode Type | Standard |
| Скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 75ns |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-2 |
| Корпус | TO-220AC |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 3362P 10K | 9 153 | 12.49 | ||||||
| 3362P 10K | RUICHI | 5 000 | 14.71 | |||||
| 8810-100X180 | 3M CORP |
|
|
|||||
| 8810-100X180 |
|
|
||||||
| GSIB2580 | VISHAY |
|
|
|||||
| HGTG10N120BND |
|
1 109.60 | ||||||
| HGTG10N120BND | FSC |
|
|
|||||
| HGTG10N120BND | Fairchild Semiconductor |
|
|
|||||
| HGTG10N120BND | FAIR |
|
|
|||||
| HGTG10N120BND | FAIRCHILD |
|
|
|||||
| HGTG10N120BND | ONS-FAIR |
|
|
|||||
| HGTG10N120BND | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| HGTG10N120BND | ONS |
|
|
|||||
 |
IRG4PC40W |
|
Транзистор IGBT модуль единичный | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
||
|
|
IRG4PC40W |
|
Транзистор IGBT модуль единичный |
|
290.60 | |||
|
|
IRG4PC40W |
|
Транзистор IGBT модуль единичный | МЕКСИКА |
|
|
||
|
|
IRG4PC40W |
|
Транзистор IGBT модуль единичный | INFINEON |
|
|
