FDMC3612

Версия для печати

Технические характеристики FDMC3612

Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	3.3A
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	110 mOhm @ 3.3A, 10V
FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	PowerTrench®
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	21nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	880pF @ 50V
Power - Max	2.3W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-WDFN Exposed Pad
Корпус	8-MLP (3.3x3.3)

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
AD8606ARMZ-R7		ANALOG DEVICES	28	237.64
AD8606ARMZ-R7		ANALOG
AD8606ARMZ-R7		ANALOG DEVICES
AD8606ARMZ-R7		Analog Devices Inc
AD8606ARMZ-R7		AD1
AD8606ARMZ-R7
AD8606ARMZ-R7		ADI
BCP54-16.115	NPN 45V 1A 1,3W B:100-250	NXP
BCP54-16.115	NPN 45V 1A 1,3W B:100-250
BCP54-16.115	NPN 45V 1A 1,3W B:100-250	NEX-NXP	39 761	8.31
BCP54-16.115	NPN 45V 1A 1,3W B:100-250	NEXPERIA
CPC1117N		CPC
CPC1117N		IXYS
CPC1117N				148.12
CPC1117N		Clare
CPC1117N		LITTELFUSE
CPC1117N		LTL
CPC1117N		4-7 НЕДЕЛЬ	463
NFM18PS105R0J3D		MURATA	107	7.23
NFM18PS105R0J3D		MURATA
NFM18PS105R0J3D		Murata Electronics North America
NFM18PS105R0J3D		MUR	7 851	2.52
NFM18PS105R0J3D
SMAJ58A-TR	Защитный диод однонаправленный 400W 58V SMA	ST MICROELECTRONICS	1	8.71
SMAJ58A-TR	Защитный диод однонаправленный 400W 58V SMA	ST MICROELECTRONICS SEMI	9 944
SMAJ58A-TR	Защитный диод однонаправленный 400W 58V SMA	STMicroelectronics
SMAJ58A-TR	Защитный диод однонаправленный 400W 58V SMA