FDMC3612

Версия для печати

Технические характеристики FDMC3612

Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	3.3A
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	110 mOhm @ 3.3A, 10V
FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	PowerTrench®
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	21nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	880pF @ 50V
Power - Max	2.3W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-WDFN Exposed Pad
Корпус	8-MLP (3.3x3.3)

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
BLM15HG102SN1D		MUR	3 753	1.36 >100 шт. 0.68
BLM15HG102SN1D		MURATA	400	1.96
BLM15HG102SN1D		MURATA	17 133
BLM15HG102SN1D			40	54.44
BLM15HG102SN1D		Murata Electronics North America
BLM15HG102SN1D		MURATA*
BLM15HG102SN1D		0.00
DHN-04F-V		DPT
DHN-04F-V		DIP	1 127	61.57
DHN-04F-V
LM5015MH		NATIONAL SEMICONDUCTOR
LM5015MH		NSC
LM5015MH		TEXAS INSTRUMENTS
LM5015MH
LM5015MH		4-7 НЕДЕЛЬ	97
NFM18PS105R0J3D		MURATA	107	7.23
NFM18PS105R0J3D		MURATA
NFM18PS105R0J3D		Murata Electronics North America
NFM18PS105R0J3D		MUR	29 731	2.50
NFM18PS105R0J3D
SMAJ58A-TR	Защитный диод однонаправленный 400W 58V SMA	ST MICROELECTRONICS
SMAJ58A-TR	Защитный диод однонаправленный 400W 58V SMA	ST MICROELECTRONICS SEMI	9 944
SMAJ58A-TR	Защитный диод однонаправленный 400W 58V SMA	STMicroelectronics
SMAJ58A-TR	Защитный диод однонаправленный 400W 58V SMA