FDMC3612

Версия для печати

Технические характеристики FDMC3612

Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	3.3A
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	110 mOhm @ 3.3A, 10V
FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	PowerTrench®
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	21nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	880pF @ 50V
Power - Max	2.3W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-WDFN Exposed Pad
Корпус	8-MLP (3.3x3.3)

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
MBR230LSFT1G		ON SEMICONDUCTOR
MBR230LSFT1G
MBR230LSFT1G		ON SEMICONDUCTOR	189
MBR230LSFT1G		ONS
MBR230LSFT1G		TOKMAS	10 761	4.53
NFM18PS105R0J3D		MURATA	99	7.23
NFM18PS105R0J3D		MURATA
NFM18PS105R0J3D		Murata Electronics North America
NFM18PS105R0J3D		MUR	35 977	4.51
NFM18PS105R0J3D
SMAJ58A-TR	Защитный диод однонаправленный 400W 58V SMA	ST MICROELECTRONICS
SMAJ58A-TR	Защитный диод однонаправленный 400W 58V SMA	ST MICROELECTRONICS SEMI	9 944
SMAJ58A-TR	Защитный диод однонаправленный 400W 58V SMA	STMicroelectronics
SMAJ58A-TR	Защитный диод однонаправленный 400W 58V SMA
SN74LVC1G32DCKR		TEXAS INSTRUMENTS	2 320	10.33
SN74LVC1G32DCKR		TEXAS INSTRUMENTS	5 563
SN74LVC1G32DCKR		TEXAS
SN74LVC1G32DCKR			1 224	12.95
SN74LVC1G32DCKR		4-7 НЕДЕЛЬ	149
SN74LVC1G32DCKR		YOUTAI
TPS61161ADRVT		TEXAS INSTRUMENTS
TPS61161ADRVT		TEXAS INSTRUMENTS
TPS61161ADRVT		TEXAS
TPS61161ADRVT
TPS61161ADRVT		4-7 НЕДЕЛЬ	213